硅基太赫兹增透窗口的设计与工艺研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 太赫兹波 | 第10-12页 |
| 1.1.1 太赫兹波及其特性 | 第10页 |
| 1.1.2 太赫兹探测器 | 第10-12页 |
| 1.2 增透窗口材料及设计 | 第12-14页 |
| 1.2.1 传统增透窗口材料 | 第12-13页 |
| 1.2.2 亚波长结构设计 | 第13-14页 |
| 1.3 二元光学 | 第14-18页 |
| 1.3.1 二元光学概念 | 第14-15页 |
| 1.3.2 二元光学器件设计理论 | 第15-17页 |
| 1.3.3 二元光学器件制作方法 | 第17-18页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第18页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 太赫兹增透结构的理论基础 | 第20-35页 |
| 2.1 电磁波传播理论 | 第20-21页 |
| 2.2 等效介质理论 | 第21-28页 |
| 2.2.1 一维亚波长结构等效介质理论 | 第21-25页 |
| 2.2.2 二维亚波长结构的零级等效介质理论 | 第25-28页 |
| 2.3 严格耦合波理论 | 第28-34页 |
| 2.3.1 二维周期结构的严格耦合波理论分析 | 第28-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 太赫兹增透窗口结构设计 | 第35-46页 |
| 3.1 理论分析(EMT-RCWA) | 第35-42页 |
| 3.1.1 等效介质理论近似分析 | 第35-37页 |
| 3.1.2 严格耦合波理论分析 | 第37-40页 |
| 3.1.3 不同台阶结构参数波长与透过率关系 | 第40-42页 |
| 3.2 掩模版 | 第42-45页 |
| 3.2.1 掩模版对准标记 | 第42-43页 |
| 3.2.2 掩模版图形设计 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 太赫兹增透结构的制作工艺 | 第46-60页 |
| 4.1 掩模层制作 | 第46-50页 |
| 4.1.1 涂胶 | 第47-48页 |
| 4.1.2 对准和曝光 | 第48-49页 |
| 4.1.3 显影 | 第49页 |
| 4.1.4 坚膜 | 第49页 |
| 4.1.5 掩膜层刻蚀 | 第49-50页 |
| 4.1.6 去胶 | 第50页 |
| 4.2 硅片刻蚀 | 第50-55页 |
| 4.2.1 单台阶刻蚀效果图 | 第52-54页 |
| 4.2.2 三台阶刻蚀效果图 | 第54-55页 |
| 4.3 去除掩膜层 | 第55页 |
| 4.4 MATLAB仿真与实验比较 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68页 |
