摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 太赫兹技术 | 第11-12页 |
1.2 史密斯帕塞尔相干辐射器件 | 第12-14页 |
1.3 史密斯帕塞尔绕射辐射器件 | 第14-15页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
第二章 史密斯帕塞尔辐射 | 第17-24页 |
2.1 引言 | 第17-18页 |
2.2 史密斯帕塞尔辐射和史密斯帕塞尔相干辐射 | 第18-21页 |
2.2.1 史密斯帕塞尔辐射 | 第18-19页 |
2.2.2 史密斯帕塞尔相干辐射 | 第19-21页 |
2.3 单电子束和双电子束史密斯相干辐射的比较 | 第21-23页 |
2.4 本章小节 | 第23-24页 |
第三章 双电子束史密斯帕塞尔太赫兹振荡器 | 第24-43页 |
3.1 双电子束史密斯帕塞尔太赫兹振荡器的结构和理论 | 第24-25页 |
3.2 开放式准光腔理论 | 第25-31页 |
3.2.1 开放式谐振腔的理论分析 | 第26-28页 |
3.2.2 自再现模式理论 | 第28-30页 |
3.2.3 自再现模式的谐振频率和损耗 | 第30-31页 |
3.3 开放式谐振腔的仿真计算 | 第31-36页 |
3.3.0 平板开放式谐振腔 | 第31-32页 |
3.3.1 有光栅的平板开放式谐振腔 | 第32-33页 |
3.3.2 有光栅的柱面镜开放式谐振腔 | 第33-35页 |
3.3.3 共焦柱面镜开放式谐振腔 | 第35-36页 |
3.4 光栅表面波调制 | 第36-40页 |
3.4.1 光栅的色散方程 | 第36-38页 |
3.4.2 光栅表面波对电子束调制的仿真 | 第38-40页 |
3.5 互作用计算 | 第40-42页 |
3.6 本章小结 | 第42-43页 |
第四章 Obictron太赫兹绕射辐射器件的研究 | 第43-65页 |
4.1 OBICTRON结构 | 第43-44页 |
4.2 OBICTRON谐振腔高频特性 | 第44-53页 |
4.2.1 谐振模式及频率的计算方法 | 第45-47页 |
4.2.2 参数对谐振模式及频率的影响 | 第47-52页 |
4.2.3 多个周期结构时的场型 | 第52页 |
4.2.4 能够通过双电子束的腔结构 | 第52-53页 |
4.2.5 谐振腔固有Q值的计算 | 第53页 |
4.3 光栅色散特性的研究 | 第53-56页 |
4.4 注波互作用的数值计算 | 第56-60页 |
4.4.1 工作参数的确定 | 第56-57页 |
4.4.2 37.5GHz振荡器的计算 | 第57-58页 |
4.4.3 340GHz振荡器的计算 | 第58-60页 |
4.5 高次模式的激励 | 第60-63页 |
4.6 史密斯帕塞尔相干辐射器件和OBICTRON的工作原理比较 | 第63-64页 |
4.7 本章小节 | 第64-65页 |
第五章 总结和展望 | 第65-67页 |
5.1 总结 | 第65-66页 |
5.2 不足与展望 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-71页 |