热释电传感器敏感头的制作与测试
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·热释电探测器的介绍 | 第9-10页 |
| ·热释电材料的概述与极化 | 第10-14页 |
| ·铌酸锂晶体的特点 | 第10-12页 |
| ·铌酸锂晶体的晶格结构 | 第12页 |
| ·铌酸锂晶体铁电畴极化 | 第12-14页 |
| ·国内外发展现状 | 第14-15页 |
| ·论文研究的目的和内容 | 第15-17页 |
| 2. 热释电传感器敏感头的工作原理 | 第17-22页 |
| ·热释电原理 | 第17-18页 |
| ·热释电敏感头的原理 | 第18-19页 |
| ·晶片厚度与敏感头响应的关系 | 第19-22页 |
| 3. 器件的结构设计及工艺设计 | 第22-44页 |
| ·器件结构设计 | 第22-23页 |
| ·器件结构 | 第22页 |
| ·器件设计的原理 | 第22-23页 |
| ·工艺设计综述 | 第23-24页 |
| ·工艺设计 | 第23-24页 |
| ·工艺设计中关键步骤在器件制作中的意义 | 第24页 |
| ·键合 | 第24-30页 |
| ·键合在实验中的作用 | 第24页 |
| ·键合的原理 | 第24-25页 |
| ·晶片键合的主要方法 | 第25-26页 |
| ·键合设备的设计 | 第26-28页 |
| ·键合的步骤 | 第28-29页 |
| ·对键合实验影响的因素 | 第29-30页 |
| ·减薄 | 第30-39页 |
| ·减薄在实验中的作用 | 第30页 |
| ·减薄的原理 | 第30页 |
| ·设计减薄设备 | 第30-31页 |
| ·减薄的工艺过程设计 | 第31-34页 |
| ·实验过程的误差 | 第34-35页 |
| ·对减薄实验影响的因素 | 第35页 |
| ·减薄过程中的崩边现象 | 第35-39页 |
| ·镀膜与封装 | 第39-44页 |
| ·镀膜与封装在实验中的作用 | 第39页 |
| ·镀膜的原理 | 第39-40页 |
| ·影响实验结果的不同镀膜过程 | 第40-41页 |
| ·封装的实验过程 | 第41-42页 |
| ·影响实验结果的不同方案 | 第42-44页 |
| 4. 研磨后晶体的测试 | 第44-50页 |
| ·厚度测试 | 第44-45页 |
| ·厚度均匀性对热释电信号的影响 | 第44页 |
| ·厚度测试的结果 | 第44-45页 |
| ·粗糙度测试 | 第45-47页 |
| ·原子力显微镜介绍 | 第45页 |
| ·粗糙度对热释电信号的影响 | 第45-46页 |
| ·测试结果 | 第46-47页 |
| ·残余应力的测试 | 第47-50页 |
| ·拉曼光谱仪的介绍 | 第47页 |
| ·残余应力对热释电信号的影响 | 第47-48页 |
| ·实验结论 | 第48-50页 |
| 5. 热释电晶体敏感头的测试 | 第50-55页 |
| ·敏感头信号提取电路设计 | 第50-51页 |
| ·敏感头放大电路结构设计 | 第51-52页 |
| ·敏感头测试系统搭建 | 第52页 |
| ·敏感头响应测试 | 第52-55页 |
| ·测试器件的热释电信号 | 第52-53页 |
| ·不同厚度的晶片响应度对比 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
