| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN 基 LED 芯片的研究现状 | 第11-25页 |
| 1.2.1 影响 GaN 基 LED 芯片出光效率的因素 | 第11-12页 |
| 1.2.2 提高 GaN 基 LED 芯片出光效率的主要方法 | 第12-25页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 传统正装结构 GaN 基 LED 的器件制备 | 第27-42页 |
| 2.1 GaN 基 LED 芯片的结构 | 第27-28页 |
| 2.2 传统正装结构 GaN 基 LED 的制备 | 第28-38页 |
| 2.2.1 GaN 基 LED 外延材料的生长 | 第28-29页 |
| 2.2.2 GaN 基 LED 芯片制备关键工艺 | 第29-33页 |
| 2.2.3 GaN 基 LED 芯片制备流程 | 第33-38页 |
| 2.3 GaN 基 LED 器件的测试分析设备 | 第38-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 图形化背反射镜提高 LED 芯片的出光效率 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 理论分析与建模仿真 | 第43-46页 |
| 3.2.1 取光原理分析 | 第43-44页 |
| 3.2.2 光学出光仿真 | 第44-46页 |
| 3.2.3 模拟结果分析 | 第46页 |
| 3.3 实验器件制备 | 第46-48页 |
| 3.3.1 传统 GaN 基 LED 芯片的制备 | 第46页 |
| 3.3.2 SiO2微结构阵列的制作 | 第46-47页 |
| 3.3.3 背反射镜的制作 | 第47-48页 |
| 3.4 测试结果与分析 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 微米级粗化 ITO 增强 LED 芯片的出光效率 | 第52-59页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 图形化结构设计 | 第52-53页 |
| 4.3 器件制备 | 第53-55页 |
| 4.4 测试结果与分析 | 第55-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 微米/纳米复合粗化 ITO 增强 LED 芯片的出光效率 | 第59-68页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 实验 | 第59-64页 |
| 5.2.1 ITO 纳米粗化条件优化 | 第59-60页 |
| 5.2.2 微米阵列结构的制备 | 第60-62页 |
| 5.2.3 器件制备 | 第62-64页 |
| 5.3 测试结果与分析 | 第64-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 总结与展望 | 第68-70页 |
| 课题总结 | 第68-69页 |
| 工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附件 | 第77页 |
