| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 分子束外延 | 第7-12页 |
| 1.1 外延的意义 | 第7-8页 |
| 1.2 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,简称MBE) | 第8-9页 |
| 1.3 分子束外延设备 | 第9-10页 |
| 1.3.1 核心设备 | 第9-10页 |
| 1.3.2 生长腔室里的重要部件 | 第10页 |
| 1.4 相关的配套设施 | 第10-11页 |
| 1.4.1 基片清洗腐蚀系统 | 第11页 |
| 1.4.2 空气净化、气压及温度调节设备 | 第11页 |
| 1.5 分子束外延实验的建设与本论文的工作 | 第11-12页 |
| 第二章 实验表征方法 | 第12-17页 |
| 2.1 反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction,简称RHEED) | 第12-13页 |
| 2.2 原子力显微镜(Atomic Force Microscope,简称AFM) | 第13-14页 |
| 2.3 振动样品磁强计(Vibrating Sample Magnetometer,简称VSM) | 第14-15页 |
| 2.4 透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,简称TEM) | 第15-16页 |
| 2.5 离子减薄仪(Precision Ion Polishing System) | 第16-17页 |
| 第三章 在Si基片上外延生长Fe薄膜及其热稳定性研究 | 第17-33页 |
| 3.1 引言 | 第17-20页 |
| 3.1.1 薄膜生长表面动力学过程及生长模式 | 第17-19页 |
| 3.1.2 薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 3.2 单晶薄膜的生长 | 第20-25页 |
| 3.2.1 衬底的清洗 | 第20-21页 |
| 3.2.2 实时原位监测—RHEED的使用 | 第21页 |
| 3.2.3 外延生长 | 第21页 |
| 3.2.4 外延Fe薄膜的初期阶段分析 | 第21-22页 |
| 3.2.5 外延单晶Fe薄膜的生长取向分析 | 第22-25页 |
| 3.3 Si基片上外延Fe薄膜热稳定性研究 | 第25-29页 |
| 3.3.1 原子力显微镜对样品表面的形貌观察 | 第25-27页 |
| 3.3.2 振动样品磁强计对样品磁信号的分析 | 第27-28页 |
| 3.3.3 AFM与VSM数据的定量分析 | 第28-29页 |
| 3.4 分子束外延Fe薄膜的TEM表征 | 第29-32页 |
| 3.4.1 高分辨透射样品的制备 | 第29-30页 |
| 3.4.2 高分辨透射电镜图像观察 | 第30-32页 |
| 3.5 小结 | 第32-33页 |
| 第四章 Fe/Si异质结构中间添加Al后对其热稳定性影响 | 第33-40页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 外延Al薄膜的生长阶段分析 | 第33-35页 |
| 4.2.1 探索Al的生长条件 | 第33-34页 |
| 4.2.2 分子束外延Al薄膜的生长速率的标定 | 第34-35页 |
| 4.3 添加Al中间相的Fe/Si异质结构的生长 | 第35-36页 |
| 4.4 添加Al中间相后Fe/Si异质结构的热稳定性 | 第36-38页 |
| 4.4.1 振动样品磁强计对热处理后的样品磁信号的分析 | 第36-38页 |
| 4.5 小结 | 第38-40页 |
| 第五章 总结与展望 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
