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P型铜铁矿结构氧化物半导体CuCrO2的掺杂效应及性能研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第12-26页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 P型半导体导电材料CuCrO_2的简介第13-16页
        1.2.1 价带化学修饰理论第13-14页
        1.2.2 CuCrO_2的晶体结构及能带结构第14-16页
    1.3 CuCrO_2薄膜的制备方法第16-20页
    1.4 P-CuCrO_2的研究进展第20-21页
    1.5 CuCrO_2掺杂的研究进展第21-24页
    1.6 本论文选题意义及主要内容第24-26页
第二章 样品的制备及表征方法第26-34页
    2.1 样品制备工艺第26-29页
        2.1.1 溶胶凝胶法原理第26-27页
        2.1.2 CuCrO_2粉末及陶瓷样品的制备工艺第27-29页
    2.2 样品的测试及性能表征方法第29-34页
        2.2.1 X射线衍射分析仪第29页
        2.2.2 扫描电子显微镜分析仪第29-31页
        2.2.3 陶瓷样品致密度测量第31页
        2.2.4 紫外-可见分光光度计吸收光谱分析第31-32页
        2.2.5 电学性能的测量第32-34页
第三章 溶胶凝胶法制备CuCrO_2样品及其性能测试第34-44页
    3.1 煅烧温度和煅烧时间对CuCrO_2粉末相结构和微观结构的影响第34-38页
        3.1.1 煅烧温度对CuCrO_2粉末相结构的影响第34-35页
        3.1.2 保温时间对CuCrO_2粉末相结构、微观结构以及光学性能的影响第35-38页
    3.2 压制压力对CuCrO_2陶瓷致密度和电学性能的影响第38-43页
        3.2.1 压制压力对CuCrO_2陶瓷致密度的影响第39-40页
        3.2.2 压制压力对CuCrO_2电学性能的影响第40-43页
    3.3 CuCrO_2半导体导电类型第43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 掺杂二价元素Mg,Ca,Zn对CuCrO_2的结构及光电性能的影响第44-65页
    4.1 掺杂二价元素Mg,Ca,Zn对CuCrO_2相结构的影响第44-47页
    4.2 掺杂二价元素Mg,Ca,Zn对CuCrO_2光学性能的影响第47-52页
    4.3 掺杂二价元素Mg,Ca,Zn对CuCrO_2陶瓷样品电学性能的影响第52-59页
        4.3.1 掺杂量对CuCr_(1-x)M_xO_2(M=Mg,Ca,Zn)陶瓷样品电学性能的影响第52-56页
        4.3.2 压制压强对CuCr_(1-x)M_xO_2(M=Mg,Ca,Zn)陶瓷样品电学性能的影响第56-59页
    4.4 Zn、Ni与Mg共掺杂对CuCrO_2结构及光电性能的影响第59-64页
        4.4.1 Zn,Ni与Mg共掺杂对CuCrO_2相结构的影响第59-60页
        4.4.2 Zn,Ni与Mg共掺杂对CuCrO_2光学性能的影响第60-63页
        4.4.3 Zn,Ni与Mg共掺杂对CuCrO_2电性能的影响第63-64页
    4.5 本章小结第64-65页
结论第65-68页
    论文创新点第67页
    有待进一步开展的工作第67-68页
参考文献第68-72页
攻读硕士期间发表的论文第72-74页
致谢第74页

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