| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 选题背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 光催化技术及光催化剂概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 光催化技术发展与研究现状 | 第12页 |
| 1.2.2 半导体光催化基本原理 | 第12-14页 |
| 1.2.3 提高半导体光催化材料活性的方法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 半导体异质结光催化剂概述 | 第15-16页 |
| 1.3 气敏传感器及气敏材料概述 | 第16-19页 |
| 1.3.1 气敏传感器的发展与研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 半导体气敏传感器敏感机理 | 第17页 |
| 1.3.3 提高半导体气敏材料性能的方法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 异质结气敏材料概述 | 第18-19页 |
| 1.4 SnS_2的制备方法和应用 | 第19-20页 |
| 1.5 论文的研究内容及创新点 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.2 创新点 | 第21-22页 |
| 第二章 实验试剂、仪器和研究方法 | 第22-28页 |
| 2.1 实验主要试剂 | 第22页 |
| 2.2 实验主要仪器 | 第22-23页 |
| 2.3 分析测试仪器 | 第23页 |
| 2.4 研究方法 | 第23-28页 |
| 2.4.1 光催化降解Cr(Ⅵ)测试 | 第23-24页 |
| 2.4.2 光催化降解染料测试 | 第24-25页 |
| 2.4.3 气敏元件的制备及性能测试 | 第25-28页 |
| 第三章 颗粒状SnS_2/ ZnO异质结的光催化及气敏性能研究 | 第28-42页 |
| 3.1 实验部分 | 第28-29页 |
| 3.1.1 样品的制备 | 第28-29页 |
| 3.1.2 分析测试 | 第29页 |
| 3.1.3 光催化性能测试 | 第29页 |
| 3.1.4 气敏元件的制备及性能测试 | 第29页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第29-40页 |
| 3.2.1 XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.2.2 EDS能谱分析 | 第30-31页 |
| 3.2.3 SEM分析 | 第31-32页 |
| 3.2.4 光学性质分析 | 第32-34页 |
| 3.2.5 光催化性能分析 | 第34-35页 |
| 3.2.6 SnS_2/ZnO异质结能带结构及光催化机理 | 第35-36页 |
| 3.2.7 气敏性能分析 | 第36-39页 |
| 3.2.8 NO_2敏感机理 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 花状SnS_2/ZnO异质结的光催化性能及气敏研究 | 第42-52页 |
| 4.1 实验部分 | 第42-43页 |
| 4.1.1 样品的制备 | 第42页 |
| 4.1.2 分析测试 | 第42页 |
| 4.1.3 光催化性能测试 | 第42页 |
| 4.1.4 气敏元件的制备及性能测试 | 第42-43页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第43-50页 |
| 4.2.1 XRD分析 | 第43页 |
| 4.2.2 EDS能谱分析 | 第43-44页 |
| 4.2.3 SEM分析 | 第44-45页 |
| 4.2.4 光学性质分析 | 第45-46页 |
| 4.2.5 光催化性能分析 | 第46-47页 |
| 4.2.6 气敏性能分析 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 松针状ZnO的制备及其光催化性能和气敏性能研究 | 第52-68页 |
| 5.1 实验部分 | 第52-53页 |
| 5.1.1 样品的制备 | 第52-53页 |
| 5.1.2 分析测试 | 第53页 |
| 5.1.3 光催化性能测试 | 第53页 |
| 5.1.4 气敏性能测试 | 第53页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第53-66页 |
| 5.2.1 煅烧温度对光催化性能的影响 | 第53-58页 |
| 5.2.2 煅烧升温速率对光催化性能的影响 | 第58-61页 |
| 5.2.3 气敏性能研究 | 第61-64页 |
| 5.2.4 敏感机理和影响气敏性能的原因分析 | 第64-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 攻读学位期间的科研成果 | 第79-81页 |
