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GIS中隔离开关操作产生的电磁干扰问题研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-16页
    1.1 气体绝缘变电站中的电磁兼容问题第9-10页
    1.2 开关操作产生VFTO特点及危害第10-11页
    1.3 变电站内电磁骚扰源分析第11-13页
    1.4 国内外研究概况第13-15页
        1.4.1 国外研究概况第13-14页
        1.4.2 国内研究概况第14-15页
    1.5 本文的主要工作第15-16页
第二章 GIS中快速暂态过程产生的机理及其影响第16-34页
    2.1 GIS中快速暂态过渡过程第16-19页
        2.1.1 VFTO现象及其产生机理第16-17页
        2.1.2 VFTO的分类第17-19页
    2.2 GIS中基本电路计算模型的研究第19-29页
        2.2.1 EMTP简介第19-20页
        2.2.2 GIS元件的瞬态特性第20-26页
        2.2.3 GIS主要元件的模型和参数第26-29页
    2.3 GIS中的暂态壳体电压升高问题第29-33页
        2.3.1 暂态壳体电位升高的产生机理第29-30页
        2.3.2 TEV的特性及其危害第30-31页
        2.3.3 TEV对二次电缆的传导干扰第31-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 GIS中暂态过电压的计算及其影响因素分析第34-51页
    3.1 VFTO的计算模型搭建第34-38页
    3.2 VFTO影响因素的分析第38-43页
        3.2.1 母线残余电荷对VFTO的影响第38-39页
        3.2.2 变压器入口电容的影响第39-41页
        3.2.3 隔离开关中弧道电阻的影响第41-42页
        3.2.4 氧化锌避雷器的影响第42页
        3.2.5 VFTO的抑制措施第42-43页
    3.3 TEV的计算及其影响因素分析第43-49页
        3.3.1 TEV的整体模型建立第43-46页
        3.3.2 接地线对TEV的影响第46-49页
        3.3.3 TEV的抑制及预防措施第49页
    3.4 本章小结第49-51页
第四章 VFTO对二次侧暂态传导干扰的分析与计算第51-65页
    4.1 传导干扰的建模与计算第51-54页
    4.2 传导干扰的计算结果分析第54-56页
    4.3 二次电缆干扰影响因素及防护措施分析第56-64页
        4.3.1 屏蔽层两端接地第56页
        4.3.2 电缆长度对二次设备干扰的影响第56-58页
        4.3.3 多股导线接地数对二次设备干扰的影响第58-59页
        4.3.4 滤波电容对二次设备干扰的影响第59-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第五章 总结与展望第65-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-72页
攻读学位期间发表的学术论文第72页

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