三维芯片中硅通孔容错技术与存储器堆叠方法研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 故障概述 | 第15-17页 |
| 1.1.1 故障分类 | 第16页 |
| 1.1.2 降低故障的措施 | 第16-17页 |
| 1.2 容错技术概述 | 第17-18页 |
| 1.2.1 静态容错技术 | 第18页 |
| 1.2.2 动态容错技术 | 第18页 |
| 1.3 三维集成电路的发展 | 第18-20页 |
| 1.4 研究意义 | 第20页 |
| 1.5 国内外研究现状 | 第20-21页 |
| 1.6 本文内容概况 | 第21-23页 |
| 第二章 三维集成电路概述 | 第23-30页 |
| 2.1 三维集成电路提出的背景 | 第23页 |
| 2.2 三维集成电路的特点 | 第23-24页 |
| 2.3 三维集成电路的堆叠 | 第24-27页 |
| 2.4 三维集成电路的测试流程 | 第27-28页 |
| 2.5 三维集成电路面临的问题和挑战 | 第28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 一种三维堆叠集成电路TSVs容错设计 | 第30-43页 |
| 3.1 3DICs的制造过程 | 第30-32页 |
| 3.1.1 TSVs制造 | 第31页 |
| 3.1.2 晶圆绑定 | 第31-32页 |
| 3.2 TSVs故障 | 第32页 |
| 3.3 TSVs冗余方案简介 | 第32-35页 |
| 3.4 3DSICs中TSVs的失效率分析 | 第35-37页 |
| 3.5 TSVs容错方案 | 第37-41页 |
| 3.5.1 区域划分及冗余分配 | 第37-38页 |
| 3.5.2 TSVs修复网络建立 | 第38-39页 |
| 3.5.3 故障修复 | 第39-41页 |
| 3.6 实验结果及分析 | 第41-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于相邻多层冗余共享的三维存储器堆叠方法 | 第43-53页 |
| 4.1 背景介绍 | 第43-45页 |
| 4.1.1 三维堆叠存储器结构 | 第43页 |
| 4.1.2 存储器修复 | 第43-45页 |
| 4.2 基于相邻多层冗余共享的修复方法 | 第45-50页 |
| 4.2.1 共享冗余结构 | 第45-46页 |
| 4.2.2 芯片堆叠策略 | 第46-50页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-56页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第60-62页 |
