| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12-15页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第15-21页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第15-17页 |
| 1.2.2 磁存储器 | 第17-18页 |
| 1.2.3 相变存储器 | 第18-19页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第19-21页 |
| 1.3 阻变存储器研究进展 | 第21-32页 |
| 1.3.1 阻变材料 | 第22页 |
| 1.3.2 阻变行为分类 | 第22-24页 |
| 1.3.3 主要阻变机理 | 第24-30页 |
| 1.3.4 阻变应用 | 第30-32页 |
| 1.4 论文选题与研究方案 | 第32-34页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第34-41页 |
| 2.1 阻变薄膜制备方法 | 第34-36页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积 | 第34-35页 |
| 2.1.2 其它阻变薄膜制备方法 | 第35-36页 |
| 2.2 分析测试方法 | 第36-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第36-38页 |
| 2.3 电学性能测试 | 第38-41页 |
| 2.3.1 电阻状态 | 第38页 |
| 2.3.2 存储窗口/开关比 | 第38-39页 |
| 2.3.3 操作电压/电流 | 第39页 |
| 2.3.4 操作速度 | 第39页 |
| 2.3.5 抗疲劳特性 | 第39-40页 |
| 2.3.6 数据保持特性 | 第40-41页 |
| 第三章 HZO薄膜制备与结构表征 | 第41-47页 |
| 3.1 HZO薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 3.1.1 HZO陶瓷靶材制备 | 第41页 |
| 3.1.2 薄膜沉积 | 第41-42页 |
| 3.2 HZO薄膜微结构表征 | 第42-45页 |
| 3.2.1 XRD测试结果 | 第42-43页 |
| 3.2.2 AFM测试结果 | 第43-44页 |
| 3.2.3 HZO薄膜沉积速率 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 HZO薄膜的阻变特性 | 第47-68页 |
| 4.1 I-V特性测试 | 第47-51页 |
| 4.1.1 沉积温度对I-V特性的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.2 沉积气压对I-V特性的影响 | 第48-50页 |
| 4.1.3 薄膜厚度对I-V特性的影响 | 第50-51页 |
| 4.2 抗疲劳特性测试 | 第51-57页 |
| 4.2.1 沉积温度对抗疲劳特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.2 沉积气压对抗疲劳特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.2.3 薄膜厚度对抗疲劳特性的影响 | 第55-57页 |
| 4.3 数据保持特性测试 | 第57-59页 |
| 4.3.1 沉积温度对数据保持特性的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.2 沉积气压对数据保持特性的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.3 薄膜厚度对数据保持特性的影响 | 第59页 |
| 4.4 操作电压/电流 | 第59-65页 |
| 4.4.1 沉积温度对操作电压/电流的影响 | 第60-62页 |
| 4.4.2 沉积气压对操作电压/电流的影响 | 第62-64页 |
| 4.4.3 薄膜厚度对操作电压/电流的影响 | 第64-65页 |
| 4.5 操作速度 | 第65-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 HZO薄膜阻变机制 | 第68-90页 |
| 5.1 常用的导电机制 | 第68-69页 |
| 5.2 HZO薄膜样品导电机制分析 | 第69-71页 |
| 5.3 HZO薄膜中的阻变机制研究 | 第71-79页 |
| 5.3.1 导电细丝的形成过程 | 第71-73页 |
| 5.3.2 阻变机理分析 | 第73-76页 |
| 5.3.3 限制电流和器件尺寸对阻变特性的影响 | 第76-78页 |
| 5.3.4 导电细丝模型对器件阻变性能的解释 | 第78-79页 |
| 5.4 HZO薄膜的双极性阻变 | 第79-83页 |
| 5.4.1 双极性阻变模式的I-V曲线 | 第79-81页 |
| 5.4.2 导电细丝模型对双极性阻变的解释 | 第81-83页 |
| 5.5 HZO薄膜中的多级阻变现象 | 第83-87页 |
| 5.5.1 不同模式下的多级阻变现象 | 第83-85页 |
| 5.5.2 多重导电细丝模型对多级阻变的解释 | 第85-87页 |
| 5.6 本章小结 | 第87-90页 |
| 第六章 柔性阻变存储器应用研究 | 第90-104页 |
| 6.1 基于PET衬底的柔性阻变存储器 | 第90-97页 |
| 6.1.1 Au/Ni/HZO/Au/Ti/PET结构制备与表征 | 第91-92页 |
| 6.1.2 Au/Ni/HZO/Au/Ti/PET结构的阻变特性与输运机制 | 第92-94页 |
| 6.1.3 Au/Ni/HZO/Au/Ti/PET结构的开关特性 | 第94-97页 |
| 6.2 纸基柔性阻变存储器初探 | 第97-102页 |
| 6.2.1 器件结构制备与表征 | 第97-98页 |
| 6.2.2 Au/Ni/HZO/Au/Ni/paper结构阻变特性与载流子输运机制 | 第98-100页 |
| 6.2.3 Au/Ni/HZO/Au/Ni/paper结构的开关特性 | 第100-102页 |
| 6.3 本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 HZO薄膜阻变存储器件应用初探 | 第104-117页 |
| 7.1 交叉阵列RRAM初步研究 | 第104-110页 |
| 7.1.1 交叉阵列结构器件制备工艺 | 第104-106页 |
| 7.1.2 HZO薄膜RRAM阵列结构阻变特性与载流子输运机制 | 第106-108页 |
| 7.1.3 HZO薄膜RRAM阵列结构开关特性 | 第108-110页 |
| 7.2 基于 1D1R的架构的HZO薄膜RRAM器件 | 第110-116页 |
| 7.2.1 1D1R结构器件制备工艺 | 第111-112页 |
| 7.2.2 1D1R结构HZO薄膜RRAM器件阻变特性与载流子输运机制 | 第112-114页 |
| 7.2.3 1D1R结构HZO薄膜RRAM器件开关特性 | 第114-116页 |
| 7.3 本章小结 | 第116-117页 |
| 第八章 结论 | 第117-120页 |
| 8.1 论文工作总结 | 第117-118页 |
| 8.2 主要创新点 | 第118页 |
| 8.3 前景和工作展望 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-134页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第134-136页 |
