| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 金属氧化物半导体气敏传感器 | 第13-14页 |
| 1.2 In_2O_3的特性及应用 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米In_2O_3的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法 | 第15页 |
| 1.3.2 溶胶-凝胶法 | 第15页 |
| 1.3.3 水热/溶剂热法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 静电纺丝法 | 第16-17页 |
| 1.4 制备In_2O_3纳米颗粒的反应原理 | 第17页 |
| 1.5 纳米In_2O_3气敏传感器的气体探测机理 | 第17页 |
| 1.6 纳米In_2O_3气敏传感器研究进展 | 第17-18页 |
| 1.7 本论文的主要贡献与创新 | 第18-19页 |
| 1.8 本论文的思路 | 第19-21页 |
| 第二章 实验试剂实验表征及相关测试方法 | 第21-28页 |
| 2.1 实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22页 |
| 2.3 表征设备 | 第22-23页 |
| 2.4 测试设备 | 第23页 |
| 2.5 传感器的设计 | 第23-24页 |
| 2.6 气敏测试 | 第24-26页 |
| 2.6.1 气敏测试步骤 | 第24-25页 |
| 2.6.2 气敏测试流程 | 第25页 |
| 2.6.3 气敏测试相关指标 | 第25-26页 |
| 2.7 UV响应测试 | 第26-28页 |
| 第三章 溶剂热法立方晶相氧化铟纳米颗粒气敏性研究 | 第28-43页 |
| 3.1 实验过程 | 第28页 |
| 3.2 表征测试结果与讨论 | 第28-32页 |
| 3.2.1 XRD表征 | 第28-30页 |
| 3.2.2 SEM表征 | 第30页 |
| 3.2.3 TEM表征 | 第30-32页 |
| 3.3 电学测试结果与讨论 | 第32页 |
| 3.4 UV敏感测试结果与讨论 | 第32-33页 |
| 3.5 常温下气敏测试 | 第33-35页 |
| 3.6 气敏测试结果与讨论 | 第35-40页 |
| 3.6.1 最佳工作温度的确定 | 第35-37页 |
| 3.6.2 最佳工作温度下传感器对H2S的气敏性能 | 第37-39页 |
| 3.6.3 气敏选择特性 | 第39-40页 |
| 3.7 敏感机理 | 第40-41页 |
| 3.8 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 水热法六方晶相氧化铟纳米颗粒的气敏性研究 | 第43-56页 |
| 4.1 六方晶相In_2O_3纳米颗粒制备过程 | 第43页 |
| 4.2 表征测试结果与讨论 | 第43-46页 |
| 4.2.1 XRD表征 | 第43-44页 |
| 4.2.2 SEM表征 | 第44-46页 |
| 4.2.3 TEM表征 | 第46页 |
| 4.3 电学测试结果与讨论 | 第46-47页 |
| 4.4 UV测试结果与讨论 | 第47-48页 |
| 4.5 气敏测试结果与讨论 | 第48-54页 |
| 4.5.1 最佳工作温度的确定 | 第48-49页 |
| 4.5.2 室温下传感器对H2S的气敏性能 | 第49-52页 |
| 4.5.3 室温下传感器的重复特性 | 第52-53页 |
| 4.5.4 室温下传感器对H2S的选择特性 | 第53-54页 |
| 4.6 敏感机理 | 第54-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 方晶相立方晶相及二者混合相氧化铟性能研究 | 第56-84页 |
| 5.1 六方晶相立方晶相及二者混合相In_2O_3粉末的制备方法 | 第56-64页 |
| 5.1.1 混合晶相In_2O_3粉末(h-In_2O_3 & c-In_2O_3)的制备方法与讨论 | 第56-64页 |
| 5.1.1.1 不同的烧结温度对得到粉末的晶相变化过程的影响探究 | 第56-58页 |
| 5.1.1.2 不同的烧结时间对得到粉末的晶相变化过程的影响探究 | 第58-59页 |
| 5.1.1.3 水热过程中乙醇胺对最终合成产物的影响研究 | 第59-62页 |
| 5.1.1.4 水热过程中葡萄糖对最终合成产物的影响研究 | 第62-64页 |
| 5.2 不同晶相In_2O_3粉末的表征测试结果与讨论 | 第64-66页 |
| 5.2.1 不同晶相In_2O_3粉末的XRD表征 | 第64-65页 |
| 5.2.2 不同晶相In_2O_3粉末的SEM表征 | 第65-66页 |
| 5.3 基于不同晶相In_2O_3纳米颗粒制作的传感器的电学特性分析 | 第66-67页 |
| 5.4 三组传感器在常温下气敏测试结果与讨论 | 第67-70页 |
| 5.5 样品C的TEM表征结果与讨论 | 第70-72页 |
| 5.6 基于样品C制作的气敏传感器的电学测试结果与讨论 | 第72页 |
| 5.7 基于样品C制作的气敏传感器的UV测试结果与讨论 | 第72-74页 |
| 5.8 室温下基于样品C制作的传感器的气敏测试结果与讨论 | 第74-81页 |
| 5.8.1 传感器最佳工作温度的确定 | 第74-76页 |
| 5.8.2 传感器对H2S的气敏性能 | 第76-79页 |
| 5.8.3 传感器的稳定性 | 第79-80页 |
| 5.8.4 传感器的气敏选择特性 | 第80-81页 |
| 5.9 敏感机理 | 第81页 |
| 5.10 本章小结 | 第81-84页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第84-86页 |
| 6.1 全文总结 | 第84-85页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-94页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第94-95页 |
