| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 引言 | 第8-22页 |
| 1.1 ZnO材料的基本特性 | 第9-12页 |
| 1.1.1 ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.1.2 ZnO的能带结构 | 第10-11页 |
| 1.1.3 ZnO的光学性质 | 第11-12页 |
| 1.1.4 ZnO的电学性质 | 第12页 |
| 1.1.5 ZnO的气敏性质 | 第12页 |
| 1.2 ZnO纳米材料及器件的研究进展 | 第12-21页 |
| 1.2.1 ZnO纳米材料的研究进展 | 第12-17页 |
| 1.2.2 ZnO发光器件的研究进展 | 第17-21页 |
| 1.3 ZnO材料研究中存在的问题 | 第21页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 2 ZnO材料的制备方法及表征手段 | 第22-29页 |
| 2.1 ZnO材料的制备方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 气相运输 | 第22页 |
| 2.1.2 溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 2.1.3 分子束外延(MBE) | 第23页 |
| 2.1.4 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
| 2.2 相关表征手段 | 第24-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射谱(XRD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第26-27页 |
| 2.2.4 光致发光谱(PL) | 第27-28页 |
| 2.2.5 能量色散X射线光谱(EDS) | 第28页 |
| 2.2.6 霍尔效应(Hall) | 第28-29页 |
| 3 不同Sb掺杂量ZnO纳米线的制备和研究 | 第29-35页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 样品的制备 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与分析 | 第30-33页 |
| 3.3.1 表面形貌的研究 | 第30-31页 |
| 3.3.2 能量色散谱分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 晶体结构的分析 | 第32-33页 |
| 3.3.4 不同Sb含量ZnO纳米线光学特性的研究 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 4 p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光器件的制备和研究 | 第35-41页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 异质结发光器件的制备 | 第35-36页 |
| 4.2.1 p型ZnO薄膜的制备 | 第35页 |
| 4.2.2 发光器件的制备 | 第35-36页 |
| 4.3 材料的结构特性 | 第36-37页 |
| 4.3.1 样品的表面形貌 | 第36页 |
| 4.3.2 样品的晶体结构分析 | 第36-37页 |
| 4.4 p-ZnO薄膜的电学特性 | 第37页 |
| 4.5 Sb掺杂ZnO薄膜的光学特性 | 第37-38页 |
| 4.6 样品的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第38-39页 |
| 4.7 器件的电致发光特性 | 第39-40页 |
| 4.8 小结 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |