| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·铁电材料概述 | 第11-14页 |
| ·BST 类材料概述 | 第14-15页 |
| ·铁电/半导体集成结构研究现状 | 第15-20页 |
| ·铁电/半导体异质结构的研究意义 | 第15页 |
| ·GaN 衬底的选择依据 | 第15-16页 |
| ·铁电/半导体集成中的困难及解决办法 | 第16-17页 |
| ·缓冲层的选择 | 第17-20页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第22-35页 |
| ·薄膜制备方法 | 第22-26页 |
| ·脉冲激光沉积系统简介 | 第23-25页 |
| ·激光分子束外延系统简介 | 第25-26页 |
| ·氧化物薄膜微结构表征方法 | 第26-33页 |
| ·原位高能电子衍射 | 第26-30页 |
| ·X 射线衍射 | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜 | 第31-33页 |
| ·氧化物薄膜电性能测试 | 第33-35页 |
| ·介电性能测试 | 第33页 |
| ·铁电性能测试 | 第33页 |
| ·绝缘性能测试 | 第33-35页 |
| 第三章 GaN 衬底上萤石相氧化物外延特性研究 | 第35-53页 |
| ·基片清洗 | 第35页 |
| ·YSZ 自外延生长 | 第35-39页 |
| ·激光能量对薄膜的影响 | 第37-38页 |
| ·沉积温度对薄膜的影响 | 第38页 |
| ·氧分压对薄膜的影响 | 第38-39页 |
| ·金红石相TiO_2诱导生长YSZ 薄膜 | 第39-47页 |
| ·激光能量对a 轴取向YSZ 薄膜的影响 | 第41-43页 |
| ·沉积温度对a 轴取向YSZ 薄膜的影响 | 第43-45页 |
| ·TiO_2沉积能量对a 轴取向YSZ 薄膜的影响 | 第45-47页 |
| ·GaN 衬底上YSZ 外延薄膜微结构表征 | 第47-50页 |
| ·CeO_2外延薄膜生长 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第四章 缓冲诱导立方钙钛矿结构薄膜取向生长研究 | 第53-66页 |
| ·萤石结构缓冲层过渡诱导 STO 生长性质 | 第53-57页 |
| ·YSZ 缓冲层诱导 STO 取向生长 | 第53-55页 |
| ·CeO_2/YSZ 缓冲层诱导STO 取向生长 | 第55-57页 |
| ·YBCO 模板层过渡诱导 STO 生长性质 | 第57-60页 |
| ·STO 薄膜生长动力学初探 | 第60-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 复合缓冲层取向诱导 BST/GaN 集成性能研究 | 第66-76页 |
| ·BST/GaN 集成生长 | 第66-70页 |
| ·TiO_2缓冲层诱导BST（111）取向生长 | 第66-68页 |
| ·YSZ/TiO_2缓冲层诱导BST（110）取向生长 | 第68-69页 |
| ·YBCO/CeO_2/YSZ/TiO_2复合缓冲层诱导 BST（001）取向生长 | 第69-70页 |
| ·BST/GaN 集成电学性能初探 | 第70-75页 |
| ·GaN 基集成 BST 材料典型取向的可调特性研究 | 第71-73页 |
| ·GaN 基集成 BST 材料典型取向的铁电特性研究 | 第73-74页 |
| ·GaN 基集成 BST 材料典型取向的绝缘性能研究 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第六章 主要结论及创新点 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 在学期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
