致谢 | 第5-7页 |
摘要 | 第7-10页 |
ABSTRACT | 第10-12页 |
第一章 流化固体颗粒靶 | 第15-30页 |
1.1 引言:高功率散裂靶的发展 | 第15-21页 |
1.2 ADS与流化固体颗粒靶 | 第21-26页 |
1.3 流化固体颗粒靶中子学计算问题 | 第26-30页 |
第二章 散裂反应机制及计算模型 | 第30-37页 |
2.1 散裂反应机制 | 第30-33页 |
2.1.1 核内级联过程 | 第30-32页 |
2.1.2 退激发过程 | 第32-33页 |
2.2 散裂反应计算模型 | 第33-37页 |
2.2.1 核内级联模型 | 第33-35页 |
2.2.2 退激发模型 | 第35-37页 |
第三章 自主高能蒙卡输运程序GMT开发 | 第37-64页 |
3.1 GMT几何及材料模块设计 | 第38-41页 |
3.1.1 几何模块设计 | 第38-40页 |
3.1.2 材料模块 | 第40-41页 |
3.2 GMT粒子输运过程实现 | 第41-60页 |
3.2.1 GMT输运算法设计 | 第41-48页 |
3.2.2 GMT反应截面计算 | 第48-49页 |
3.2.3 GMT电磁过程实现 | 第49-53页 |
3.2.4 GMT强相互作用过程实现 | 第53-60页 |
3.3 GMT反应模型GPU并行化计算 | 第60-62页 |
3.3.1 蒙卡输运程序的GPU加速原理 | 第60-61页 |
3.3.2 散裂反应模型的GPU并行化 | 第61-62页 |
3.4 小结 | 第62-64页 |
第四章 散裂靶中子学设计方法 | 第64-73页 |
4.1 散裂靶中子产额 | 第64-69页 |
4.1.1 散裂反应中子产额 | 第64-66页 |
4.1.2 厚靶中子产额 | 第66-69页 |
4.2 散裂靶中子经济性及中子学性能 | 第69-73页 |
4.2.1 束流能量对中子经济性的影响 | 第69-71页 |
4.2.2 靶参数对中子学性能的影响 | 第71-73页 |
第五章 流化固体颗粒靶中子学优化分析及设计参数讨论 | 第73-91页 |
5.1 流化固体颗粒流动状态参数 | 第73-75页 |
5.2 流化固体颗粒靶中子学及束靶参数优化分析 | 第75-82页 |
5.2.1 中子经济性及束流能量优化分析 | 第75-77页 |
5.2.2 中子学性能及靶参数优化分析 | 第77-82页 |
5.3 流化固体颗粒钨合金靶热沉积及功率分析 | 第82-90页 |
5.3.1 热沉积中子经济性 | 第82-83页 |
5.3.2 热功率沉积分析 | 第83-90页 |
5.4 小结 | 第90-91页 |
第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
6.1 主要工作及结论 | 第91-92页 |
6.2 相关工作展望 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-106页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第106-107页 |