致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第13-26页 |
1.1 CIADS强流高功率质子加速器注入器Ⅱ简介 | 第13-17页 |
1.2 射频超导腔性能研究前沿 | 第17-24页 |
1.2.1 高加速梯度E_(acc) | 第18-20页 |
1.2.2 高品质因子Q_0 | 第20-24页 |
1.3 论文的主要工作和创新点 | 第24页 |
1.4 论文结构 | 第24-26页 |
第二章 基础理论 | 第26-43页 |
2.1 超导基础 | 第26-32页 |
2.1.1 Meissner效应 | 第27-28页 |
2.1.2 直流零电阻效应和射频电阻 | 第28-30页 |
2.1.3 临界磁场 | 第30-32页 |
2.2 谐振腔基础 | 第32-35页 |
2.3 限制超导腔性能的因素 | 第35-43页 |
2.3.1 剩余表面电阻R_(res) | 第35-38页 |
2.3.2 二次电子倍增效应(Multipacting) | 第38-39页 |
2.3.3 场致发射(Field Emission) | 第39-40页 |
2.3.4 热致失超(Quench) | 第40-43页 |
第三章 四分之一波长谐振腔(QWR)聚束器研制 | 第43-66页 |
3.1 聚束器的意义 | 第43-44页 |
3.2 QWR聚束器设计 | 第44-58页 |
3.2.1 腔体电磁设计 | 第44-51页 |
3.2.2 调谐器设计 | 第51-54页 |
3.2.3 耦合器设计 | 第54-58页 |
3.3 QWR聚束器热和机械分析 | 第58-60页 |
3.4 QWR聚束器加工概述 | 第60-62页 |
3.5 QWR聚束器测试 | 第62-64页 |
3.5.1 低功率测量 | 第62-63页 |
3.5.2 高功率测量 | 第63-64页 |
3.6 小结 | 第64-66页 |
第四章 降温条件对大晶粒铌腔磁通俘获效率的影响 | 第66-82页 |
4.1 实验介绍 | 第66-70页 |
4.2 影响超导腔腔壁上磁通俘获效率的降温条件 | 第70-80页 |
4.2.1 磁通俘获效率定义 | 第70-72页 |
4.2.2 降温条件及其对磁通排出效率的影响 | 第72-77页 |
4.2.3 俘获磁通测量的讨论 | 第77-80页 |
4.3 小结 | 第80-82页 |
第五章 大晶粒铌腔腔壁中俘获磁通引起表面电阻的属性 | 第82-114页 |
5.1 R_(fl)的实验提取方法 | 第82-85页 |
5.2 R_(fl)与温度梯度的关系 | 第85-89页 |
5.3 大晶粒和细晶粒铌超导腔表面电阻对俘获磁通密度的敏感度(R_(fl)/B_(trap))讨论 | 第89-90页 |
5.4 R_(fl)与RF场非线性关系 | 第90-109页 |
5.4.1 R_(fl)的理论模型 | 第90-94页 |
5.4.2 R_(fl)与RF场依赖关系的实验提取方法 | 第94-98页 |
5.4.3 热效应对R_(fl)与RF场非线性的影响 | 第98-108页 |
5.4.4 R_(fl)的RF场非线性结论 | 第108-109页 |
5.5 失超对R_(fl)的影响 | 第109-112页 |
5.6 小结 | 第112-114页 |
第六章 总结 | 第114-115页 |
参考文献 | 第115-123页 |
作者简历及发表文章 | 第123页 |
作者简历 | 第123页 |
发表文章 | 第123页 |