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CIADS前端注入器Ⅱ高性能聚束器研制及超导腔的高Q0研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-10页
第一章 绪论第13-26页
    1.1 CIADS强流高功率质子加速器注入器Ⅱ简介第13-17页
    1.2 射频超导腔性能研究前沿第17-24页
        1.2.1 高加速梯度E_(acc)第18-20页
        1.2.2 高品质因子Q_0第20-24页
    1.3 论文的主要工作和创新点第24页
    1.4 论文结构第24-26页
第二章 基础理论第26-43页
    2.1 超导基础第26-32页
        2.1.1 Meissner效应第27-28页
        2.1.2 直流零电阻效应和射频电阻第28-30页
        2.1.3 临界磁场第30-32页
    2.2 谐振腔基础第32-35页
    2.3 限制超导腔性能的因素第35-43页
        2.3.1 剩余表面电阻R_(res)第35-38页
        2.3.2 二次电子倍增效应(Multipacting)第38-39页
        2.3.3 场致发射(Field Emission)第39-40页
        2.3.4 热致失超(Quench)第40-43页
第三章 四分之一波长谐振腔(QWR)聚束器研制第43-66页
    3.1 聚束器的意义第43-44页
    3.2 QWR聚束器设计第44-58页
        3.2.1 腔体电磁设计第44-51页
        3.2.2 调谐器设计第51-54页
        3.2.3 耦合器设计第54-58页
    3.3 QWR聚束器热和机械分析第58-60页
    3.4 QWR聚束器加工概述第60-62页
    3.5 QWR聚束器测试第62-64页
        3.5.1 低功率测量第62-63页
        3.5.2 高功率测量第63-64页
    3.6 小结第64-66页
第四章 降温条件对大晶粒铌腔磁通俘获效率的影响第66-82页
    4.1 实验介绍第66-70页
    4.2 影响超导腔腔壁上磁通俘获效率的降温条件第70-80页
        4.2.1 磁通俘获效率定义第70-72页
        4.2.2 降温条件及其对磁通排出效率的影响第72-77页
        4.2.3 俘获磁通测量的讨论第77-80页
    4.3 小结第80-82页
第五章 大晶粒铌腔腔壁中俘获磁通引起表面电阻的属性第82-114页
    5.1 R_(fl)的实验提取方法第82-85页
    5.2 R_(fl)与温度梯度的关系第85-89页
    5.3 大晶粒和细晶粒铌超导腔表面电阻对俘获磁通密度的敏感度(R_(fl)/B_(trap))讨论第89-90页
    5.4 R_(fl)与RF场非线性关系第90-109页
        5.4.1 R_(fl)的理论模型第90-94页
        5.4.2 R_(fl)与RF场依赖关系的实验提取方法第94-98页
        5.4.3 热效应对R_(fl)与RF场非线性的影响第98-108页
        5.4.4 R_(fl)的RF场非线性结论第108-109页
    5.5 失超对R_(fl)的影响第109-112页
    5.6 小结第112-114页
第六章 总结第114-115页
参考文献第115-123页
作者简历及发表文章第123页
    作者简历第123页
    发表文章第123页

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