| 中文摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| §1.1 激光的发展历史 | 第14-15页 |
| §1.2 全固态激光器技术 | 第15-17页 |
| §1.3 激光器调Q技术 | 第17-20页 |
| §1.4 可饱和吸收体简介 | 第20-22页 |
| §1.5 本文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 基于金纳米棒可饱和吸收体的1.3μm波段调Q激光特性优化研究 | 第23-34页 |
| §2.1 金纳米棒的光学特性 | 第23-25页 |
| §2.2 金纳米棒的制备与表征 | 第25-29页 |
| §2.2.1 金纳米棒的制备 | 第25-26页 |
| §2.2.2 金纳米棒的表征 | 第26-29页 |
| §2.3 基于金纳米棒的被动调Q激光特性研究 | 第29-33页 |
| §2.3.1 实验装置 | 第29页 |
| §2.3.2 实验结果分析与讨论 | 第29-33页 |
| §2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于g-C_3N_4可饱和吸收体的1.06μm波段调Q激光特性优化研究 | 第34-45页 |
| §3.1 g-C_3N_4的结构与性质 | 第34-36页 |
| §3.1.1 g-C_3N_4的结构 | 第34页 |
| §3.1.2 g-C_3N_4的性质及修饰改性 | 第34-36页 |
| §3.2 经热氧化刻蚀的g-C_3N_4的制备与表征 | 第36-39页 |
| §3.2.1 g-C_3N_4样品的制备 | 第36页 |
| §3.2.2 g-C_3N_4样品的表征 | 第36-39页 |
| §3.3 基于g-C_3N_4的被动调Q激光特性研究 | 第39-44页 |
| §3.3.1 实验装置 | 第39-41页 |
| §3.3.2 实验结果与讨论 | 第41-44页 |
| §3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于MoS_2-PPy可饱和吸收体的1.06 μm波段调Q激光特性研究 | 第45-53页 |
| §4.1 二硫化钼与聚吡咯材料性能介绍 | 第45-46页 |
| §4.1.1 二硫化钼性质的介绍 | 第45-46页 |
| §4.1.2 聚吡咯性质的介绍 | 第46页 |
| §4.2 MoS_2-PPy材料的制备与表征 | 第46-49页 |
| §4.2.1 MoS_2-PPy材料的制备 | 第46-47页 |
| §4.2.2 MoS_2-PPy材料的表征 | 第47-49页 |
| §4.3 基于MoS_2-PPy的被动调Q激光特性研究 | 第49-52页 |
| §4.3.1 实验装置 | 第49页 |
| §4.3.2 实验结果与分析 | 第49-52页 |
| §4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-56页 |
| §5.1 本文工作总结 | 第53-54页 |
| §5.2 未来工作展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读学位期间获得的奖励及发表的论文 | 第62-63页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第63页 |
