| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言：集成是解决通信需求迅猛增长的必由之路 | 第14-16页 |
| 1.2 基于光子集成的transmitter发展历史,现状,与未来趋势 | 第16-29页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容及创新点 | 第29-32页 |
| 1.3.1 本论文的主要研究内容 | 第29-30页 |
| 1.3.2 本论文的创新点 | 第30-32页 |
| 第二章 基于量子阱混合的有源无源集成平台 | 第32-70页 |
| 2.1 InP基有源无源集成方案概述 | 第32-35页 |
| 2.2 基于量子阱混合的有源无源集成方案详述 | 第35-41页 |
| 2.2.1 量子阱混合调整能带宽度的原理 | 第35-39页 |
| 2.2.2 量子阱混合实现的方法 | 第39-41页 |
| 2.3 量子阱的选择 | 第41-45页 |
| 2.3.1 量子阱层状结构选择 | 第41-43页 |
| 2.3.2 量子阱带宽表征 | 第43-45页 |
| 2.4 基于氩气等离子体诱导混合的量子阱混合 | 第45-53页 |
| 2.4.1 实验步骤详述 | 第45-50页 |
| 2.4.2 实验结果与讨论 | 第50-52页 |
| 2.4.3 实验补充 | 第52-53页 |
| 2.5 基于溅射介质层诱导混合的量子阱混合 | 第53-62页 |
| 2.5.1 实验步骤详述 | 第53-55页 |
| 2.5.2 实验结果与讨论 | 第55-61页 |
| 2.5.3 实验补充 | 第61-62页 |
| 2.6 基于溅射金属铜诱导混合的量子阱混合 | 第62-70页 |
| 2.6.1 实验步骤详述 | 第62-63页 |
| 2.6.2 实验结果与讨论 | 第63-65页 |
| 2.6.3 实验补充 | 第65-70页 |
| 第三章 基于量子阱混合集成电吸收调制器的V型耦合腔激光器 | 第70-100页 |
| 3.1 集成器件的原理介绍 | 第70-81页 |
| 3.1.1 V型耦合腔激光器原理介绍 | 第70-74页 |
| 3.1.2 电吸收调制器原理介绍 | 第74-77页 |
| 3.1.3 V型耦合腔激光器与电吸收调制器集成的方案 | 第77-81页 |
| 3.2 不含量子阱混合的集成器件 | 第81-86页 |
| 3.2.1 器件的制作工艺 | 第81-82页 |
| 3.2.2 器件的测试结果与讨论 | 第82-86页 |
| 3.3 含有量子阱混合的集成器件 | 第86-100页 |
| 3.3.1 器件的制作工艺 | 第86-94页 |
| 3.3.2 器件的测试结果与讨论 | 第94-100页 |
| 第四章 基于量子阱混合的高速Q调制DFB激光器 | 第100-122页 |
| 4.1 集成器件的原理介绍与分析方法 | 第100-110页 |
| 4.1.1 Q调制DFB激光器静态工作原理分析 | 第100-102页 |
| 4.1.2 Q调制DFB激光器实际工作点的分析 | 第102-110页 |
| 4.2 部分增益耦合DFB介绍 | 第110-111页 |
| 4.3 不含量子阱混合的Q调制DFB激光器 | 第111-116页 |
| 4.3.1 器件制作工艺简介 | 第111-114页 |
| 4.3.2 器件测试结果与讨论 | 第114-116页 |
| 4.4 含有量子阱混合的Q调制DFB激光器 | 第116-122页 |
| 4.4.1 器件制作工艺简介 | 第116-119页 |
| 4.4.2 器件测试结果与讨论 | 第119-122页 |
| 第五章 总结及进一步工作展望 | 第122-124页 |
| 5.1 总结 | 第122-123页 |
| 5.2 进一步工作展望 | 第123-124页 |
| 作者简介 | 第124-126页 |
| 个人简介 | 第124页 |
| 博士在读期间发表的论文情况 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-135页 |
