| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-14页 |
| 1.1.1 HBAR器件的应用 | 第11-12页 |
| 1.1.2 HBAR器件的模型与原理 | 第12-13页 |
| 1.1.3 HBAR器件的材料选择 | 第13-14页 |
| 1.2 HBAR器件的国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 AlN压电薄膜的国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 HBAR器件的建模与设计 | 第18-32页 |
| 2.1 压电薄膜的特性 | 第18-23页 |
| 2.1.1 晶体的介电性质 | 第18-19页 |
| 2.1.2 晶体的弹性性质 | 第19-21页 |
| 2.1.3 晶体的压电性质 | 第21页 |
| 2.1.4 AlN压电薄膜的特性 | 第21-23页 |
| 2.2 HBAR器件的Mason等效电路模型 | 第23-27页 |
| 2.2.1 压电体的Mason模型 | 第23-26页 |
| 2.2.2 普通声学层的Mason模型 | 第26页 |
| 2.2.3 HBAR器件的Mason模型 | 第26-27页 |
| 2.3 HBAR器件的ADS仿真模型建立与设计 | 第27-31页 |
| 2.3.1 HBAR器件中各材料的参数值 | 第27页 |
| 2.3.2 压电体的ADS仿真模型建立 | 第27-28页 |
| 2.3.3 普通声学层的ADS仿真模型建立 | 第28-30页 |
| 2.3.4 HBAR器件的ADS仿真模型建立 | 第30页 |
| 2.3.5 HBAR器件的设计 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 AlN压电薄膜的制备与表征 | 第32-47页 |
| 3.1 AlN薄膜的制备方法 | 第32-37页 |
| 3.1.1 脉冲激光沉积概述 | 第32-33页 |
| 3.1.2 脉冲激光沉积原理 | 第33-35页 |
| 3.1.3 脉冲激光沉积中的重要工艺参数 | 第35-36页 |
| 3.1.4 脉冲激光沉积特点 | 第36-37页 |
| 3.2 AlN薄膜的表征方法 | 第37-38页 |
| 3.2.1 X射线衍射仪 | 第37-38页 |
| 3.2.2 原子力显微镜 | 第38页 |
| 3.3 脉冲激光沉积制备AlN薄膜 | 第38-46页 |
| 3.3.1 激光能量密度对AlN薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.2 基底温度对AlN薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 基底材料对AlN薄膜的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.4 图形化Mo/蓝宝石基底上沉积AlN薄膜 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 HBAR器件的制备与测试 | 第47-71页 |
| 4.1 制备HBAR器件中采用的微纳加工工艺简介与研究 | 第47-61页 |
| 4.1.1 磁控溅射工艺 | 第47-48页 |
| 4.1.2 脉冲激光沉积工艺 | 第48页 |
| 4.1.3 等离子体增强化学气相沉积工艺 | 第48-49页 |
| 4.1.4 光刻工艺 | 第49-52页 |
| 4.1.5 刻蚀工艺 | 第52-53页 |
| 4.1.6 背减薄工艺 | 第53-61页 |
| 4.2 HBAR器件的制备工艺流程 | 第61-63页 |
| 4.3 HBAR器件的测试与分析 | 第63-70页 |
| 4.3.1 HBAR器件1的测试与分析 | 第64-67页 |
| 4.3.2 HBAR器件2的测试与分析 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 详细摘要 | 第79-83页 |