| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 半导体材料和半导体激光器的发展 | 第7-8页 |
| 1.2.超晶格的种类 | 第8-9页 |
| 1.3 超晶格材料的研究历程 | 第9-10页 |
| 1.4 MOCVD外延生长技术 | 第10-12页 |
| 第二章 超晶格中的能带结构 | 第12-21页 |
| 2.1 量子阱中电子的能量状态 | 第12-15页 |
| 2.2 应变对能带的影响 | 第15-17页 |
| 2.3 超晶格结构子能带的形成 | 第17-20页 |
| 2.4 小结 | 第20-21页 |
| 第三章 InGaAs/GaIn P/GaAs应变补偿超晶格 | 第21-39页 |
| 3.1 阱层和垒层对于单量子阱发光特性的影响 | 第21-24页 |
| 3.2 势垒厚度和组分对于超晶格性能的影响 | 第24-29页 |
| 3.2.1 势垒厚度对增益的影响 | 第25-27页 |
| 3.2.2 势垒Ga组分对增益的影响 | 第27-29页 |
| 3.3 超晶格有源区激光器的输出特性 | 第29-35页 |
| 3.3.1 垒层Ga组分对于激光器输出特性影响 | 第29-32页 |
| 3.3.2 垒层厚度对于激光器输出特性影响 | 第32-35页 |
| 3.4 GaInP和InGa As材料的外延生长 | 第35-38页 |
| 3.4.1 GaInP材料的生长 | 第35-36页 |
| 3.4.2 InGaAs材料的生长 | 第36-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 反渐变波导层的设计 | 第39-47页 |
| 4.1 RGRIN波导层介绍 | 第39-41页 |
| 4.2 RGRIN波导层的优化设计 | 第41-45页 |
| 4.2.1 理论分析 | 第41页 |
| 4.2.2 RGRIN层Al组分的优化 | 第41-45页 |
| 4.3 RGRIN结构与BW结构的比较 | 第45-46页 |
| 4.4 小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第51页 |