| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·低介电常数材料的研究背景 | 第10-12页 |
| ·本课题组的SiCOH 薄膜研究主要进展 | 第12-14页 |
| ·本文的研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 SiCOH 薄膜的制备、刻蚀及表征方法 | 第15-23页 |
| ·SiCOH 低k 薄膜的制备 | 第15-17页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体原理简介 | 第15-16页 |
| ·微波ECR-CVD 沉积系统 | 第16-17页 |
| ·实验参数 | 第17页 |
| ·SiCOH 低k 薄膜的刻蚀 | 第17-18页 |
| ·双频电容耦合等离子体系统（DF-CCP） | 第17-18页 |
| ·实验参数 | 第18页 |
| ·SiCOH 薄膜表面形貌的原子力显微镜表征 | 第18-21页 |
| ·SiCOH 薄膜成份的X 射线光电子能谱（XPS）分析 | 第21-22页 |
| ·放电等离子体的发射光谱（OES）分析 | 第22-23页 |
| 第三章 0_2 流量对0_2/C_4F_8/Ar 等离子体刻蚀SiCOH 薄膜结构与性能的影响 | 第23-29页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀率的影响 | 第23-24页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀微结构的影响 | 第24-26页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀表面成份的影响 | 第26-27页 |
| ·0_2 流量对0_2/C_4F_8 等离子体中基团分布的影响 | 第27-29页 |
| 第四章 0_2 流量对0_2/C_2F_6/Ar 等离子体刻蚀SiCOH 薄膜结构与性能的影响 | 第29-35页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀率的影响 | 第29-30页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀微结构的影响 | 第30-31页 |
| ·0_2 流量对SiCOH 薄膜刻蚀表面成份的影响 | 第31-33页 |
| ·0_2 流量对0_2/C_2F_6/Ar 等离子体中基团分布的影响 | 第33-35页 |
| 第五章 低频功率对SiCOH 薄膜刻蚀性能与结构的影响 | 第35-40页 |
| ·低频功率对SiCOH 薄膜刻蚀率的影响 | 第35-36页 |
| ·低频功率对SiCOH 薄膜刻蚀微结构的影响 | 第36-38页 |
| ·低频功率对0_2/C_4F_8/Ar 等离子体中基团分布的影响 | 第38-40页 |
| 第六章 结论 | 第40-41页 |
| ·本文研究的主要结果 | 第40页 |
| ·存在的问题与进一步的研究方向 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 攻读学位期间公开发表论文、论著 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
