| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-25页 |
| ·高k 栅介质薄膜的概况 | 第10-13页 |
| ·高k 栅介质薄膜的研究背景 | 第10-12页 |
| ·高k 材料的发展历程 | 第12-13页 |
| ·高k 栅介质材料的具体要求 | 第13-14页 |
| ·Hf 基高k 栅介质材料 | 第14-19页 |
| ·Al 掺杂 | 第15-16页 |
| ·Si 掺杂 | 第16-17页 |
| ·Ta 掺杂 | 第17-18页 |
| ·N 掺杂 | 第18-19页 |
| ·新型的“堆垛结构” | 第19-20页 |
| ·迁移率退化的探讨 | 第20-21页 |
| ·本论文工作的意义及主要研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 Ta_20_5、HfTaO 薄膜的制备和表征 | 第25-36页 |
| ·薄膜制备 | 第25-28页 |
| ·实验装置及设备技术参数 | 第25-27页 |
| ·Ta_20_5、HfTaO 薄膜的沉积 | 第27-28页 |
| ·薄膜后退火处理 | 第28页 |
| ·薄膜的分析表征 | 第28-32页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第29页 |
| ·膜厚测量 | 第29页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第29-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| ·薄膜性质表征 | 第32-35页 |
| ·紫外—可见光分光光度测试 | 第32-33页 |
| ·I-V 测试 | 第33页 |
| ·C-V 测试 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 辅源能量对Ta_20_5薄膜结构、电学性质的影响 | 第36-49页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的结构 | 第36-39页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的XRD 分析 | 第36-38页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的AFM 分析 | 第38-39页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的电学性质 | 第39-42页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的C-V 特性分析 | 第39-41页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的I-V 特性分析 | 第41-42页 |
| ·Ta_20_5 薄膜的透光性质 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 HfTaO 薄膜结构和电学性质的研究 | 第49-65页 |
| ·HfTaO 薄膜的结构 | 第49-56页 |
| ·HfTaO 薄膜的EDAX 分析 | 第49-50页 |
| ·HfTaO 薄膜的XRD 分析 | 第50-51页 |
| ·HfTaO 薄膜的XPS 分析 | 第51-53页 |
| ·HfTaO 薄膜的SEM 分析 | 第53-54页 |
| ·HfTaO 薄膜的AFM 分析 | 第54-56页 |
| ·HfTaO 薄膜的电学性质 | 第56-58页 |
| ·HfTaO 薄膜的C-V 特性分析 | 第56-57页 |
| ·HfTaO 薄膜的I-V 特性分析 | 第57-58页 |
| ·退火后HfTaO 薄膜的电学性质 | 第58-60页 |
| ·退火后HfTaO 薄膜的C-V 特性分析 | 第58-59页 |
| ·退火后HfTaO 薄膜的I-V 特性分析 | 第59-60页 |
| ·HfTaO 薄膜的光学性质 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 不同金属电极(Ag、Au、Pt)对HfTaO 基MOS 电容器电学性质的影响 | 第65-75页 |
| ·Ag, Au, Pt/HfTaO/Si MOS 结构的电学特性 | 第65-71页 |
| ·Ag, Au, Pt/HfTaO/Si MOS 电容的C-V 特性 | 第66-69页 |
| ·Ag, Au, Pt/HfTaO/Si I-V 特性曲线的比较 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
