中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-33页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 表面等离激元 | 第10-13页 |
1.3 狄拉克等离激元——从石墨烯到拓扑绝缘体 | 第13-16页 |
1.4 拓扑绝缘体等离激元研究现状 | 第16-21页 |
1.5 近场光学显微镜在等离激元探测方面的应用 | 第21-31页 |
1.5.1 近场光学显微镜工作原理 | 第21-26页 |
1.5.2 近场光学强度实验分析模型 | 第26-31页 |
1.6 选题依据与研究内容 | 第31-33页 |
第二章 Bi_2Te_3单晶的等离激元的表征与分析 | 第33-51页 |
2.1 引言 | 第33页 |
2.2 Bi_2Te_3的制备 | 第33-35页 |
2.2.1 溶剂热合成法 | 第33-34页 |
2.2.2 机械剥离法 | 第34-35页 |
2.3 拓扑绝缘体Bi_2Te_3在进场光学显微镜下的观测结果与分析 | 第35-44页 |
2.3.1 散射式近场光学显微镜系统 | 第35-37页 |
2.3.2 Bi_2Te_3单晶近场观测结果 | 第37-44页 |
2.4 Bi_2Te_3单晶等离激元与晶体厚度、入射波长的依赖关系 | 第44-49页 |
2.5 本章小结 | 第49-51页 |
第三章 栅压调控对等离激元的影响研究 | 第51-66页 |
3.1 引言 | 第51页 |
3.2 石墨烯等离激元的栅压调控 | 第51-59页 |
3.2.1 石墨烯等离激元栅压调控器件的制备 | 第52-55页 |
3.2.2 石墨烯等离激元栅压调控近场光学测试 | 第55-59页 |
3.3 拓扑绝缘体Bi_2Te_3等离激元的栅压调控 | 第59-64页 |
3.3.1 Bi_2Te_3等离激元栅压调控器件的制备 | 第59-61页 |
3.3.2 Bi_2Te_3等离激元栅压调控近场光学测试 | 第61-64页 |
3.4 本章小结 | 第64-66页 |
第四章 钙钛矿薄膜的近场光学表征 | 第66-73页 |
4.1 引言 | 第66-67页 |
4.2 钙钛矿材料的s-SNOM测试及表征 | 第67-72页 |
4.3 本章小结 | 第72-73页 |
第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-82页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-85页 |