| 摘要 | 第1-7页 |
| abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-57页 |
| ·多铁材料的研究背景 | 第13-25页 |
| ·多铁材料的概念 | 第13-15页 |
| ·多铁材料的研究历史和发展概况 | 第15-16页 |
| ·磁电耦合效应 | 第16-17页 |
| ·铁电性与铁磁性的互斥 | 第17-18页 |
| ·磁电耦合的几种机制 | 第18-25页 |
| ·Aurivillius型铋层状氧化物材料 | 第25-36页 |
| ·BFTO材料的研究现状 | 第26-31页 |
| ·BFTO的掺杂改性 | 第31-34页 |
| ·Aurivillius铋层状氧化物薄膜的研究现状 | 第34-36页 |
| ·金属氧化物薄膜的界面工程 | 第36-40页 |
| ·氧化物界面处的静电边界条件 | 第37-39页 |
| ·氧化物界面电荷屏蔽作用 | 第39-40页 |
| ·Aurivillius型氧化物外延单晶薄膜制备上面临的巨大挑战 | 第40-44页 |
| ·本论文的研究工作以及创新之处 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-57页 |
| 第二章 样品的制备及表征手段 | 第57-76页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·靶材的制备 | 第57-58页 |
| ·样品的制备 | 第58-65页 |
| ·L-MBE仪器的制备方法和原理 | 第58-60页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED)原理 | 第60-61页 |
| ·RHEED的应用 | 第61-64页 |
| ·L-MBE制备优势和缺点 | 第64页 |
| ·薄膜制备的主要影响因素 | 第64-65页 |
| ·薄膜的结构和形貌表征 | 第65-72页 |
| ·X射线衍射 | 第65-69页 |
| ·原子力显微镜 | 第69-71页 |
| ·扫描透射电子显微镜 | 第71-72页 |
| ·薄膜的性能表征手段 | 第72-74页 |
| ·薄膜铁磁性的测量 | 第72-73页 |
| ·薄膜电输运性能的表征 | 第73-74页 |
| 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第三章 Bi_6FeCoTi_3O_(18)外延单晶薄膜的生长和性能的表征 | 第76-90页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·样品的制备和表征手段 | 第77页 |
| ·生长温度对于BFCTO薄膜的影响 | 第77-79页 |
| ·生长氧分压对于薄膜的影响 | 第79-81页 |
| ·杂相对于薄膜形貌和磁性的影响 | 第81-83页 |
| ·薄膜铁电性能和铁磁性能的表征 | 第83-85页 |
| ·小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第四章 导电氧化物缓冲层对Bi_6Fe_(2-x)Co_xTi_3O_(18)单晶薄膜的生长温度的影响 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·实验 | 第91页 |
| ·LaNiO_3底电极的制备和导电性能的表征 | 第91-94页 |
| ·在LaNiO_3缓冲层上生长BFCTO薄膜 | 第94-97页 |
| ·在不同类型的界面上生长BFCTO薄膜 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第五章 关于Bi_6FeCoTi_3O_(18)多铁薄膜界面科学方面的研究 | 第102-116页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·样品制备 | 第103页 |
| ·BFCTO薄膜的生长和结构表征 | 第103-105页 |
| ·薄膜界面处微观结构的表征和分析 | 第105-111页 |
| ·薄膜的铁磁性和铁电性能的表征 | 第111-112页 |
| ·本章小结 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 第六章 结论与展望 | 第116-125页 |
| ·论文内容小结 | 第116-117页 |
| ·本论文主要创新点 | 第117-118页 |
| ·Aurivillius型多铁材料单晶薄膜研究的展望 | 第118-122页 |
| ·薄膜铁电性能的提升以及不同取向薄膜的制备 | 第118-119页 |
| ·不同组分的单晶薄膜的研究 | 第119-120页 |
| ·薄膜的磁电耦合性能和光学性能的研究 | 第120-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-125页 |
| 攻读博士学位期间的学术成果 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
