| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·有机光电器件的发展历程 | 第12-15页 |
| ·有机发光二极管 | 第13-14页 |
| ·有机光伏电池 | 第14-15页 |
| ·有机光电器件的原理 | 第15-16页 |
| ·有机发光二极管的原理 | 第15页 |
| ·有机光伏电池的器件原理 | 第15-16页 |
| ·有机光电器件面临的问题 | 第16-17页 |
| ·选题的意义和主要工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 有机半导体界面电子结构研究方法及实验技术 | 第22-31页 |
| ·无机半导体界面理论 | 第22页 |
| ·有机半导体界面理论 | 第22-27页 |
| ·有机固体的电子结构 | 第22-24页 |
| ·有机界面电子结构 | 第24页 |
| ·能级排列 | 第24-25页 |
| ·能级弯曲 | 第25-26页 |
| ·界面偶极 | 第26页 |
| ·注入势垒 | 第26-27页 |
| ·光电子能谱基本原理 | 第27页 |
| ·实验技术 | 第27-28页 |
| ·光电子能谱仪 | 第27-28页 |
| ·样品制备及表征 | 第28页 |
| ·器件制备及表征 | 第28页 |
| 参考文献 | 第28-31页 |
| 第三章 叠层有机光电器件的界面电子结构研究 | 第31-69页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·高效叠层蓝光器件的界面电子结构 | 第32-40页 |
| ·中间连接层对发光器件的影响 | 第32-33页 |
| ·不同连接层的界面电子结构 | 第33-37页 |
| ·连接层的能级排列 | 第37-38页 |
| ·器件制备及表征 | 第38-40页 |
| ·结论 | 第40页 |
| ·高效稳定的白光器件的电子结构研究 | 第40-51页 |
| ·器件性能表征 | 第41页 |
| ·界面电子结构 | 第41-47页 |
| ·有机薄膜的表征和理论计算 | 第47-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| ·高效叠层太阳能电池界面电子结构研究 | 第51-58页 |
| ·不同连接层的界面电子结构 | 第52-54页 |
| ·连接层的界面能级排列 | 第54-56页 |
| ·器件制备及表征 | 第56-57页 |
| ·结论 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 第四章 有机光电器件的界面势垒调控 | 第69-90页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·基于碱金属掺杂的界面研究 | 第69-76页 |
| ·界面电子结构 | 第70-74页 |
| ·界面能级排列 | 第74-75页 |
| ·器件制备及表征 | 第75-76页 |
| ·结论 | 第76页 |
| ·基于不同电子传输层的界面研究 | 第76-80页 |
| ·LiF/MADN, Bphen/MADN, TPBI/MADN 界面电子结构 | 第77-79页 |
| ·界面能级排列 | 第79页 |
| ·器件制备及表征 | 第79-80页 |
| ·基于基底修饰的界面电子结构研究 | 第80-85页 |
| ·ITO 基底修饰[56-58] | 第80-81页 |
| ·PTCDA/TiOPc 在不同修饰层修饰的 ITO 基底上的界面电子结构 | 第81-83页 |
| ·界面能级排列 | 第83-85页 |
| ·结论 | 第85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第五章 正置和倒置结构的有机器件界面电子结构研究 | 第90-108页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·ITO/SubNC/C_(60), ITO/C_(60)/SubNC 界面 | 第90-93页 |
| ·ITO/SubNc/C_(60)界面电子结构 | 第90-91页 |
| ·ITO/C_(60)/SubNc 界面电子结构 | 第91-92页 |
| ·界面能级排列 | 第92-93页 |
| ·ITO/MoCO_3/SubNC/C_(60), ITO/MoCO_3/C_(60)/SubNC 界面 | 第93-96页 |
| ·ITO/MoCO_3/SubNc/C_(60)界面电子结构 | 第93-94页 |
| ·ITO/MoCO_3/C_(60)/SubNc 界面 | 第94页 |
| ·界面能级排列 | 第94-96页 |
| ·ITO/CS_2CO_3/SubNC/C_(60),ITO/CS_2CO_3/C_(60)/SubNC 界面 | 第96-98页 |
| ·ITO/Cs_2CCO_3/SubNc/C_(60)界面电子结构 | 第96页 |
| ·ITO/Cs_2CCO_3/C_(60)/SubNc 界面电子结构 | 第96-97页 |
| ·界面能级排列 | 第97-98页 |
| ·SubPC/C_(60)正置和倒置器件的界面电子结构 | 第98-101页 |
| ·器件制备及性能表征 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-108页 |
| 第六章 退火处理对界面电子结构的影响 | 第108-127页 |
| ·引言 | 第108-109页 |
| ·退火处理对 CuPC:C_(60);TiOPC:C_(60);PTCDA:C_(60)界面的影响 | 第109-115页 |
| ·退火处理对 CuPC/C_(60);TiOPC/C_(60);PTCDA/C_(60)界面的影响 | 第115-116页 |
| ·退火处理对 PTCDA/CuPC; PTCDA/TiOPC 界面的影响 | 第116-119页 |
| ·退火处理对 PTCDA:CuPC;PTCDA:TiOPC 界面的影响 | 第119-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第七章 总结及展望 | 第127-130页 |
| 攻读博士期间的科研成果 | 第130-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
