| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-42页 |
| ·有机发光二极管的起源与发展 | 第13-14页 |
| ·叠层 OLEDS 的研究现状 | 第14-26页 |
| ·叠层 OLED 的器件结构 | 第15-17页 |
| ·叠层 OLED 的工作原理 | 第17-22页 |
| ·叠层 OLED 的重要意义 | 第22-23页 |
| ·叠层 OLED 中新材料的应用 | 第23页 |
| ·电荷产生层的设计及要求 | 第23页 |
| ·电荷产生层的电荷产生与分离机理 | 第23-26页 |
| ·叠层 OLED 中电学掺杂的作用 | 第26-27页 |
| ·叠层 OELD 器件性能评估 | 第27-31页 |
| ·叠层 OLED 的发展趋势及尚存问题 | 第31-33页 |
| ·本论文的研究内容及目的 | 第33页 |
| 参考文献 | 第33-42页 |
| 第二章 叠层 OLED 的器件制备及特性表征 | 第42-62页 |
| ·常用材料结构及性质 | 第42-47页 |
| ·器件制备方法及仪器介绍 | 第47-49页 |
| ·OLED 器件封装方法 | 第49-51页 |
| ·器件性能测试 | 第51-56页 |
| ·光电特性测试 | 第51-52页 |
| ·器件的寿命测试 | 第52-53页 |
| ·器件的容抗和阻抗特性测试 | 第53-54页 |
| ·界面电子结构测试 | 第54-55页 |
| ·材料光学特性测试 | 第55-56页 |
| ·材料电学特性测试 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 第三章 n-型掺杂电荷注入层对单结 OLED 器件特性的影响 | 第62-77页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·器件的结构及工作原理 | 第63页 |
| ·器件的发光性能 | 第63-66页 |
| ·器件的电容-电压及阻抗谱特性 | 第66-69页 |
| ·器件衰减机理 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 第四章 电荷产生层中 n-型掺杂层/MoO_3界面特性对叠层 OLED 稳定性的研究 | 第77-90页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·叠层 OLED 器件性能 | 第77-81页 |
| ·电荷产生层的界面能级结构 | 第81-84页 |
| ·叠层 OLED 器件的衰减及相关机制 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第五章 电荷产生层的组成材料对叠层 OLED 器件性能的影响 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·N-型掺杂 TPBi/TMO(or HATCN)的界面表征及叠层器件测试 | 第91-97页 |
| ·n-型掺杂 TPBi 的界面表征及分析 | 第91-93页 |
| ·n-型掺杂 TPBi/TMO 电荷产生层的叠层器件测试 | 第93-95页 |
| ·n-型掺杂 TPBi/HAT-CN 电荷产生层的叠层器件测试 | 第95-96页 |
| ·TMO 和 HAT-CN 在电荷产生层中作用对比分析 | 第96-97页 |
| ·基于 Mg:ETL/MOO_3的叠层器件性能分析 | 第97-99页 |
| ·基于 CS_2CO_3:ETL/MOO_3的叠层器件性能分析 | 第99-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第六章 高效率叠层 OLED 的制备 | 第102-116页 |
| ·引言 | 第102页 |
| ·发光单元厚度的优化 | 第102-108页 |
| ·空穴传输层厚度优化 | 第102-104页 |
| ·电子传输层厚度优化 | 第104-106页 |
| ·发光层厚度优化 | 第106-108页 |
| ·电荷产生层的优化 | 第108-111页 |
| ·n-型掺杂层厚度优化 | 第109-110页 |
| ·MoO_3层厚度优化 | 第110-111页 |
| ·单结和叠层 OLED 器件性能比较 | 第111-113页 |
| ·叠层 OLED 器件寿命的检测 | 第113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-116页 |
| 第七章 基于 Cs_2CO_3/Al/MoO_3结构电荷产生层的叠层 OLED 器件研究 | 第116-129页 |
| ·引言 | 第116页 |
| ·基于掺杂电子传输层的单结 OLED 的优化 | 第116-118页 |
| ·基于掺杂电子传输层的叠层 OLED 的优化 | 第118-120页 |
| ·不同电荷产生层结构的叠层 OLED 器件特性表征 | 第120-123页 |
| ·电荷产生层的光响应特性 | 第123-125页 |
| ·光照强度对电荷产生层的内建电场的影响 | 第125-126页 |
| ·本章小结 | 第126页 |
| 参考文献 | 第126-129页 |
| 第八章 基于 Mg:Alq_3/MoO_3结构电荷产生层的光响应 | 第129-152页 |
| ·引言 | 第129页 |
| ·电荷产生层的界面能级表征 | 第129-131页 |
| ·电荷产生层的光响应特性表征 | 第131-136页 |
| ·光照强度对电荷产生层的内建电场的影响 | 第136-137页 |
| ·电极界面调整对电荷产生层光响应的影响 | 第137-147页 |
| ·本章小结 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-152页 |
| 第九章 总结与展望 | 第152-154页 |
| ·总结 | 第152-153页 |
| ·展望 | 第153-154页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-157页 |
