| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·ABS塑料 | 第9-17页 |
| ·ABS塑料结构 | 第9页 |
| ·ABS的性质 | 第9-11页 |
| ·ABS的分类 | 第11-14页 |
| ·ABS的应用和发展前景 | 第14-17页 |
| ·氧化硅薄膜 | 第17-20页 |
| ·氧化硅薄膜的结构 | 第17-18页 |
| ·氧化硅薄膜的性质和应用 | 第18-19页 |
| ·氧化硅薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·ABS塑料表面镀膜技术 | 第20页 |
| ·ABS塑料镀铝表面沉积SiO_2薄膜的意义 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究内容和目的 | 第21-22页 |
| 第二章 等离子体诊断 | 第22-28页 |
| ·探针介绍 | 第22-23页 |
| ·探针的发展 | 第22页 |
| ·探针技术的特点 | 第22-23页 |
| ·朗缪尔单探针 | 第23-26页 |
| ·单探针原理 | 第23-25页 |
| ·等离子体参数计算 | 第25-26页 |
| ·基于虚拟仪器的朗缪尔探针诊断方法 | 第26-28页 |
| 第三章 薄膜的制备与表征方法 | 第28-36页 |
| ·溅射镀膜介绍 | 第28-29页 |
| ·射频溅射 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·高功率脉冲磁控溅射(HPPMS) | 第31-32页 |
| ·HPPMS的放电机制 | 第31页 |
| ·HPPMS放电制备薄膜的工艺 | 第31-32页 |
| ·实验设备 | 第32-35页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射系统 | 第32-34页 |
| ·本文所使用的SiO_2薄膜制备装置 | 第34-35页 |
| ·薄膜制备过程测试 | 第35-36页 |
| ·薄膜制备的温度测试 | 第35页 |
| ·等离子体参数测量 | 第35-36页 |
| 第四章 SiO_2薄膜的制备 | 第36-42页 |
| ·不同功率下温度随时间的变化 | 第36-38页 |
| ·有脉冲和无脉冲调制时SiO_2薄膜的抗腐蚀性研究 | 第38-39页 |
| ·朗缪尔单探针诊断 | 第39-42页 |
| 第五章 SiO_2薄膜的抗腐蚀性研究 | 第42-51页 |
| ·实验 | 第42页 |
| ·SiO_2薄膜的抗腐蚀性分析 | 第42-46页 |
| ·薄膜沉积环境的探针诊断 | 第46-49页 |
| ·脉冲调制射频功率500W放电时等离子体参数 | 第49-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |