集成带隙基准源设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 插图索引 | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-14页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第11页 |
| ·带隙基准源的研究现状 | 第11-13页 |
| ·论文结构 | 第13-14页 |
| 第2章 带隙基准源的设计原理和分析 | 第14-37页 |
| ·CMOS 工艺和器件 | 第14-20页 |
| ·CMOS 工艺下的有源器件 | 第14-15页 |
| ·CMOS 工艺下的无源元件 | 第15-20页 |
| ·CMOS 器件模型 | 第20-24页 |
| ·CMOS 器件大信号模型 | 第20-21页 |
| ·CMOS 器件的二级效应和寄生效应 | 第21-23页 |
| ·CMOS 器件小信号模型 | 第23-24页 |
| ·基准电压源的基本类型 | 第24-27页 |
| ·电阻分压和 MOS 管分压的基准电压源 | 第24-25页 |
| ·有源元件与无源元件串联组成的基准电压源 | 第25-27页 |
| ·带隙基准源的设计原理 | 第27-30页 |
| ·PN 结的温度特性 | 第27-28页 |
| ·正温度系数产生电路 | 第28-30页 |
| ·传统带隙基准源的电路结构和性能 | 第30-34页 |
| ·带运放结构的传统带隙基准源 | 第30-31页 |
| ·正负温度系数电流直接补偿的带隙基准源 | 第31-33页 |
| ·无运放结构的带隙基准源 | 第33-34页 |
| ·带隙基准源的非理想特性 | 第34-37页 |
| ·电流镜的失配 | 第35页 |
| ·运放的失调影响 | 第35-36页 |
| ·电阻失配的影响 | 第36页 |
| ·三极管基区电阻的影响 | 第36-37页 |
| 第3章 设计高性能带隙基准源的方法 | 第37-48页 |
| ·如何获得低温度系数 | 第37-45页 |
| ·二阶曲率补偿 | 第37-39页 |
| ·分段线性补偿 | 第39-45页 |
| ·如何获得高电源电压抑制比 | 第45-47页 |
| ·运放间接供电 | 第45-46页 |
| ·在运放和电源之间引入负反馈 | 第46-47页 |
| ·如何降低功耗 | 第47-48页 |
| 第4章 高精度的带隙基准源设计 | 第48-56页 |
| ·电路设计 | 第48-50页 |
| ·温度特性的改善 | 第50-51页 |
| ·电源电压抑制比的改善 | 第51-52页 |
| ·仿真结果和分析 | 第52-54页 |
| ·温度特性 | 第52-53页 |
| ·电源电压抑制比 | 第53-54页 |
| ·电源电压调整率 | 第54页 |
| ·小结 | 第54-56页 |
| 总结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第56页 |
| 展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
