| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-22页 |
| ·研究背景和意义 | 第13-15页 |
| ·半导体纳米材料研究现状及应用 | 第15-17页 |
| ·论文的结构安排 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第2章 成核理论概述 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·表面生长基本过程 | 第23-24页 |
| ·薄膜生长理论模型 | 第24-26页 |
| ·成核热力学 | 第26-31页 |
| ·体相中均匀成核 | 第27-29页 |
| ·衬底上非均匀成核 | 第29-31页 |
| ·成核速率 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第3章 倾斜纳米线的生长机制 | 第35-55页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·理论模型 | 第37-45页 |
| ·生长实验 | 第45-46页 |
| ·结果和讨论 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第4章 异质生长纳米结构弹性应变能和塑性应变能的解析解研究 | 第55-74页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·位错的概念 | 第56-57页 |
| ·弹性应变能量模型 | 第57-60页 |
| ·理论建模 | 第60-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第5章 三维纳米结构应力驱动成核理论 | 第74-91页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·成核势垒 | 第75-79页 |
| ·生长模式 | 第79-83页 |
| ·晶体结构 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-91页 |
| 第6章 量子点在台阶衬底的成核理论 | 第91-116页 |
| ·引言 | 第91页 |
| ·衬底平均表面能理论模型 | 第91-97页 |
| ·理论公式 | 第92-94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-97页 |
| ·台阶表面能理论模型 | 第97-102页 |
| ·理论公式 | 第97-100页 |
| ·结果与讨论 | 第100-102页 |
| ·Ge量子点在Si(001)台阶衬底的成核模型 | 第102-110页 |
| ·成核模型 | 第103-107页 |
| ·结果与讨论 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第118-119页 |