预失真射频功率放大器的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·射频功率放大器的现状与发展趋势 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| ·本文章节安排 | 第15-20页 |
| 第二章 射频功率放大器非线性研究 | 第20-50页 |
| ·有源功率器件的非线性模型 | 第20-23页 |
| ·MET LDMOS FET模型 | 第21-22页 |
| ·温度特性 | 第22-23页 |
| ·射频功率放大器非线性模型 | 第23-30页 |
| ·无记忆放大器模型 | 第24-26页 |
| ·记忆放大器模型 | 第26-30页 |
| ·射频功率放大器非线性分析 | 第30-40页 |
| ·非线性分析方法 | 第30-35页 |
| ·非线性特性分析 | 第35-40页 |
| ·射频功率放大器非线性的影响 | 第40-43页 |
| ·带内失真 | 第40-42页 |
| ·带外失真 | 第42-43页 |
| ·射频功率放大器线性度评价指标 | 第43-47页 |
| ·1dB压缩点(P_(1dB)) | 第43页 |
| ·互调分量(IM)和三阶截点(IP3) | 第43-45页 |
| ·邻信道功率比(ACPR) | 第45-46页 |
| ·误差向量幅度(EVM) | 第46页 |
| ·峰均比(PAR) | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第三章 射频功率放大器记忆效应研究 | 第50-80页 |
| ·射频功率放大器记忆效应 | 第50-70页 |
| ·电记忆效应 | 第50-64页 |
| ·热记忆效应 | 第64-70页 |
| ·射频功率放大器记忆效应最小化设计 | 第70-77页 |
| ·偏置电路的阻抗设计 | 第71-73页 |
| ·偏置电路的温度稳定性设计 | 第73-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 第四章 预失真线性化技术研究 | 第80-112页 |
| ·功率放大器的线性化技术 | 第80-90页 |
| ·负反馈法 | 第80-82页 |
| ·前馈法 | 第82-83页 |
| ·EE&R法 | 第83-84页 |
| ·LINC法 | 第84-85页 |
| ·预失真 | 第85-89页 |
| ·主要线性化技术性能比较 | 第89-90页 |
| ·自适应线性化技术 | 第90-106页 |
| ·自适应算法 | 第91-99页 |
| ·自适应预失真技术 | 第99-100页 |
| ·一种高效的射频预失真功率放大器的自适应优化算法 | 第100-106页 |
| ·本章小结 | 第106-112页 |
| 第五章 预失真射频功率放大器仿真与实现 | 第112-120页 |
| ·系统仿真与分析 | 第112-116页 |
| ·预失真射频功率放大器设计实现 | 第116-119页 |
| ·设计指标 | 第117页 |
| ·方案设计 | 第117-118页 |
| ·多级射频功率放大器设计实现 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 第六章 结束语 | 第120-122页 |
| ·总结 | 第120页 |
| ·下一步工作 | 第120-122页 |
| 附录 缩略语 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第126页 |
