| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-24页 |
| ·引言 | 第6-7页 |
| ·硅基发光材料 | 第7-11页 |
| ·多孔硅的发光 | 第7-8页 |
| ·纳米硅的发光 | 第8-9页 |
| ·掺铒硅基发光材料 | 第9-10页 |
| ·超晶格结构的发光 | 第10-11页 |
| ·离子注入技术 | 第11-16页 |
| ·离子注入技术简介 | 第11-12页 |
| ·离子注入原理 | 第12-14页 |
| ·离子注入技术在半导体领域的应用 | 第14-16页 |
| ·碳化硅 | 第16-22页 |
| ·碳化硅的结构与性质 | 第17-19页 |
| ·3C-SiC薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·3C-SiC薄膜的研究现状 | 第20-22页 |
| ·课题背景、研究意义、研究内容及创新点 | 第22-24页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第22-23页 |
| ·课题研究内容 | 第23页 |
| ·课题创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 离子注入Si基体表面Si_5C_3薄膜的制备与表征 | 第24-39页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验过程 | 第24-33页 |
| ·实验材料 | 第24-25页 |
| ·硅基体表面的C离子注入 | 第25-31页 |
| ·试样的高温退火 | 第31页 |
| ·分析测试方法 | 第31-33页 |
| ·实验结果与讨论 | 第33-38页 |
| ·离子注入前的模拟计算 | 第33-35页 |
| ·表面结构分析 | 第35页 |
| ·表面组成及物相分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 离子注入Si基体表面3C-SiC薄膜的制备与表征 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·实验结果与讨论 | 第40-49页 |
| ·3C-SiC晶体结构的确定 | 第40-41页 |
| ·3C-SiC薄膜表面形貌观察及其形成机理初探 | 第41-42页 |
| ·表面组成及物相分析 | 第42-46页 |
| ·AES分析 | 第46-47页 |
| ·TEM分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 SiC及ZnO基体中Er~(3+)发光行为的研究 | 第50-67页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验过程 | 第51-54页 |
| ·实验材料 | 第51页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第51-53页 |
| ·Er~(3+)注入工艺 | 第53页 |
| ·热处理工艺 | 第53-54页 |
| ·分析测试方法 | 第54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-66页 |
| ·SiC薄膜的发光 | 第54-60页 |
| ·Er~(3+)在SiC薄膜的发光行为研究 | 第60-64页 |
| ·Er~(3+)在ZnO薄膜中的发光行为研究 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 全文结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第73-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
