基于霍耳效应的气敏传感器的研制
| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| ·研究气体传感器的意义 | 第6页 |
| ·课题背景 | 第6-9页 |
| ·半导体气体传感器 | 第6-7页 |
| ·电化学型气体传感器 | 第7页 |
| ·固体电解质气体传感器 | 第7页 |
| ·接触燃烧式气体传感器 | 第7-8页 |
| ·光学式气体传感器 | 第8页 |
| ·高分子气体传感器 | 第8-9页 |
| ·课题研究内容 | 第9-10页 |
| 第二章 反应机理与研究内容 | 第10-24页 |
| ·金属氧化物能带结构及其缺陷 | 第10-13页 |
| ·半导体能带结构 | 第10-11页 |
| ·氧化物半导体缺陷 | 第11-13页 |
| ·点缺陷 | 第11-12页 |
| ·复合缺陷 | 第12-13页 |
| ·金属氧化物半导体材料的气敏机理 | 第13-16页 |
| ·晶界势垒模型 | 第14页 |
| ·吸附氧理论 | 第14-15页 |
| ·氧离子陷阱势垒模型 | 第15-16页 |
| ·空间电荷层模型 | 第16页 |
| ·三氧化钨的制备和应用现状 | 第16-19页 |
| ·物理方法 | 第17-18页 |
| ·固相反应法 | 第17页 |
| ·气相法 | 第17-18页 |
| ·化学方法 | 第18-19页 |
| ·化学沉淀法 | 第18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| ·微乳液法 | 第19页 |
| ·霍耳效应 | 第19-24页 |
| ·一种载流子的霍耳效应 | 第19-21页 |
| ·两种载流子的霍耳效应 | 第21-24页 |
| 第三章 实验部分 | 第24-36页 |
| ·传感器结构的设计 | 第24-25页 |
| ·基片的选择 | 第24-25页 |
| ·传感器电极的设计 | 第25页 |
| ·气敏材料的制备 | 第25-26页 |
| ·气相法制备W03 机理 | 第25-26页 |
| ·制备敏感膜过程 | 第26页 |
| ·元件的制作 | 第26-28页 |
| ·基片的清洗 | 第26-27页 |
| ·敏感膜的涂成及烧结 | 第27-28页 |
| ·元件的测试 | 第28-36页 |
| ·实验电路测试图 | 第28-29页 |
| ·元件气敏性能的测试 | 第29-36页 |
| ·灵敏度与气体浓度的关系 | 第29-30页 |
| ·外加电压与灵敏度的关系 | 第30-31页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第31-32页 |
| ·元件的稳定性 | 第32-34页 |
| ·气体的选择性 | 第34-36页 |
| 第四章 机理分析 | 第36-50页 |
| ·材料表征 | 第36-40页 |
| ·XRD 物相分析 | 第36-39页 |
| ·扫描电镜分析 | 第39-40页 |
| ·敏感膜与气体相互作用的理论模型 | 第40-44页 |
| ·敏感机理分析 | 第44-47页 |
| ·响应—恢复过程分析 | 第47-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简历 | 第55页 |
