| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| §1.1 磁泡存储器和布洛赫线存储器 | 第9-10页 |
| §1.2 选题背景和内容 | 第10-15页 |
| 第二章 磁畴壁物理基础 | 第15-35页 |
| §2.1 磁畴与磁泡 | 第15-21页 |
| ·基本概念 | 第15页 |
| ·磁泡的形成条件 | 第15-16页 |
| ·磁泡的静态特性 | 第16-19页 |
| ·产生磁泡的材料 | 第19-21页 |
| §2.2 磁畴壁和布洛赫线 | 第21-33页 |
| ·磁畴壁结构 | 第21-25页 |
| ·布洛赫线 | 第25-28页 |
| ·布洛赫线间的相互作用 | 第28-30页 |
| ·布洛赫点 | 第30-33页 |
| §2.3 硬磁畴的分类和实验研究 | 第33-35页 |
| 第三章 实验内容 | 第35-70页 |
| §3.1 实验准备 | 第35-39页 |
| ·室温下样品的静态参数 | 第35-36页 |
| ·脉冲小线圈 | 第36-38页 |
| ·三类硬磁泡的缩灭场 | 第38-39页 |
| §3.2 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃的软化过程 | 第39-46页 |
| ·实验方法 | 第39页 |
| ·结果和讨论 | 第39-45页 |
| 小节 | 第45-46页 |
| §3.3 直流偏场和面内场联合作用下三类硬磁畴软化过程的比较 | 第46-57页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·结果和讨论 | 第47-56页 |
| 小节 | 第56-57页 |
| §3.4 记录ⅠD和ⅡD具体转化过程的照片 | 第57-60页 |
| ·实验方法 | 第57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-59页 |
| 小节 | 第59-60页 |
| §3.5 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴畴壁内VBLs的崩溃 | 第60-70页 |
| ·实验方法 | 第60页 |
| ·结果和讨论 | 第60-69页 |
| 小节 | 第69-70页 |
| 第四章 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 发表论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
