摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-12页 |
第一章 绪论 | 第12-23页 |
·引言 | 第12-14页 |
·ZnO材料的制备 | 第14-18页 |
·ZnO体单晶的生长 | 第14-15页 |
·ZnO薄膜的生长 | 第15-17页 |
·磁控溅射 | 第15-16页 |
·分子束外延 | 第16页 |
·脉冲激光沉积 | 第16页 |
·金属有机化学气相沉积 | 第16-17页 |
·纳米ZnO材料的生长 | 第17-18页 |
·ZnO材料的光电性能与应用 | 第18-21页 |
·本文研究内容 | 第21-23页 |
第二章 ZnO的晶体结构及透射电子显微镜研究方法 | 第23-32页 |
·引言 | 第23-24页 |
·ZnO的晶体结构 | 第24-27页 |
·ZnO的纤锌矿结构 | 第24-25页 |
·ZnO的闪锌矿结构 | 第25-26页 |
·ZnO的立方岩结构 | 第26-27页 |
·透射电子显微镜研究方法 | 第27-32页 |
·透射电子显微镜基本原理 | 第27-28页 |
·衍射成像 | 第28-29页 |
·高分辨电子显微术与图像模拟 | 第29-30页 |
·透射电子显微镜试样制备 | 第30-31页 |
·透射电子显微镜分析测试 | 第31-32页 |
第三章 磁控溅射法生长硅基ZnO薄膜的显微结构 | 第32-61页 |
·引言 | 第32-33页 |
·硅基ZnO薄膜截面(Cross-section)的TEM分析 | 第33-41页 |
·ZnO薄膜与硅界面的显微结构 | 第33-37页 |
·ZnO薄膜柱状晶的显微结构 | 第37-38页 |
·ZnO薄膜的原生层错与扩展位错 | 第38-41页 |
·硅基ZnO薄膜的X射线衍射 | 第41-42页 |
·硅基ZnO薄膜的生长机理 | 第42-45页 |
·ZnO薄膜的择优生长机理 | 第42-44页 |
·ZnO薄膜的原生层错形成机理 | 第44-45页 |
·硅基ZnO薄膜平面(Plan View)的TEM分析 | 第45-54页 |
·位错排列组成的小角度晶界 | 第48-50页 |
·沿{1(?)00)面的大角度晶界 | 第50页 |
·晶界两侧对称的大角度晶界 | 第50-52页 |
·对称大角度晶界的结构模型 | 第52-54页 |
·硅基ZnCdO薄膜的显微结构 | 第54-58页 |
·硅基ZnO薄膜的光学性质 | 第58-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第四章 生长工艺对硅基ZnO薄膜显微结构的影响 | 第61-74页 |
·引言 | 第61页 |
·磁控溅射生长工艺对硅基ZnO薄膜显微结构的影响 | 第61-69页 |
·衬底温度对ZnO薄膜显微结构的影响 | 第62-65页 |
·溅射功率对ZnO薄膜显微结构的影响 | 第65-68页 |
·ZnO薄膜生长淘汰机理形成的择优取向 | 第68-69页 |
·生长工艺对硅基ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第69-72页 |
·提高硅基ZnO薄膜晶体质量途径的思考 | 第72-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
第五章 退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响 | 第74-86页 |
·引言 | 第74-75页 |
·600℃退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响 | 第75-77页 |
·800℃退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响 | 第77-80页 |
·退火诱生缺陷的显微结构与形成机理 | 第80-82页 |
·退火处理对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第82-84页 |
·ZnO薄膜的退火模型 | 第84页 |
·本章小结 | 第84-86页 |
第六章 MOCVD法生长ZnO纳米线的显微结构 | 第86-93页 |
·引言 | 第86页 |
·ZnO纳米线的结构表征 | 第86-91页 |
·ZnO纳米线SEM分析 | 第87页 |
·ZnO纳米线截面TEM分析 | 第87-88页 |
·ZnO纳米线在支承膜上TEM分析 | 第88-91页 |
·ZnO纳米线的生长机理 | 第91-92页 |
·本章小结 | 第92-93页 |
第七章 MOCVD法生长ZnO纳米管的显微结构 | 第93-100页 |
·引言 | 第93页 |
·ZnO纳米管的结构表征 | 第93-97页 |
·ZnO纳米管SEM分析 | 第93-94页 |
·ZnO纳米管截面TEM分析 | 第94页 |
·ZnO纳米管在支承膜上TEM分析 | 第94-97页 |
·ZnO纳米管的生长机理 | 第97-98页 |
·本章小结 | 第98-100页 |
第八章 总结 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-109页 |
攻读博士期间发表与完成的主要论文 | 第109-112页 |
致谢 | 第112页 |