CBRAM中导电丝形成机理的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 存储器 | 第9-14页 |
| 1.2 CBRAM的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 第一性原理在RRAM研究中的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 2 理论计算基础及计算方法 | 第18-26页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第18-22页 |
| 2.2 Bader电荷 | 第22-23页 |
| 2.3 NEB迁移势垒计算方法 | 第23页 |
| 2.4 非晶的原理 | 第23-24页 |
| 2.5 计算软件 | 第24-26页 |
| 3 Ag导电丝的研究 | 第26-44页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 模型建立与计算精度 | 第27-32页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第32-42页 |
| 3.4 本章总结 | 第42-44页 |
| 4 Ni导电丝的研究 | 第44-55页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 模型建立与计算精度 | 第45-46页 |
| 4.3 计算结果与分析 | 第46-53页 |
| 4.4 本章总结 | 第53-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第65-66页 |
| 附录2 制作非晶的典型INCAR文件 | 第66-68页 |
| 附录3 NEB计算的典型INCAR文件 | 第68-69页 |
| 附录4 Bader电荷计算的典型INCAR文件 | 第69-70页 |
