| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·磁记录原理及其特点 | 第12-14页 |
| ·纵向磁记录及其介质研究进展 | 第14-20页 |
| ·垂直磁记录及其介质研究进展 | 第20-23页 |
| ·光磁混合记录原理及其对介质的要求 | 第23-26页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第26-28页 |
| 2 TbCo薄膜的制备与性能研究 | 第28-46页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·磁控溅射及其工作原理 | 第28-31页 |
| ·样品的制备 | 第31-33页 |
| ·样品的性能测试与结构分析 | 第33-35页 |
| ·溅射工艺参数对TbCo薄膜磁性能的影响 | 第35-39页 |
| ·底层对TbCo薄膜结构及磁特性的影响 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 3 TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性来源的研究 | 第46-64页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·稀土--过渡金属非晶垂直磁化膜的形成条件 | 第46-48页 |
| ·TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性 | 第48-50页 |
| ·影响TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性能的一些因素 | 第50-54页 |
| ·稀土--过渡金属非晶磁化膜垂直磁各向异性的机理研究 | 第54-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 4 SmTbCo/Cr薄膜结构与特性研究 | 第64-81页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·SmTbCo/Cr薄膜的制备与性能 | 第64-67页 |
| ·Sm置换对TbCo/Cr非晶垂直磁化膜磁特性的影响 | 第67-70页 |
| ·SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的温度特性 | 第70-72页 |
| ·平均场理论及SmTbCo/Cr薄膜温度特性的理论计算与分析 | 第72-76页 |
| ·单离子各向异性与平均场模型 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 5 SmTbCo交换耦合双层膜的制备及特性研究 | 第81-96页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·SmTbCo交换耦合双层膜的制备 | 第81-83页 |
| ·SmTbCo交换耦合双层膜的磁特性 | 第83-85页 |
| ·稀土--过渡金属交换耦合双层膜的磁化过程分析 | 第85-92页 |
| ·SmTbCo交换耦合双层膜的界面畴壁能(Interface Wall Energy) | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 6 全文总结 | 第96-98页 |
| 致 谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 附录1 攻读学位期间发表的论文目录 | 第113-115页 |
| 附录2 攻读学位期间申请的专利 | 第115页 |
