| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 引言 | 第6-8页 |
| 第一章 IGBT及现有的耐压层结构 | 第8-20页 |
| 1．1 传统电力电子器件的不足 | 第8-9页 |
| 1．2 IGBT概念的提出 | 第9-10页 |
| 1．3 IGBT结构与性能简介 | 第10-14页 |
| 1．4 目前广泛应用的PT-IGBT和NPT-IGBT | 第14-19页 |
| 1．4．1 PT-IGBT | 第14-17页 |
| 1．4．2 NPT-IGBT | 第17-19页 |
| 1．5 小结 | 第19-20页 |
| 第二章 一种具有新型耐压层结构的IGBT—LPL-IGBT | 第20-32页 |
| 2．1 NPT-IGBT和PT-IGBT功耗性能比较 | 第20-26页 |
| 2．1．1 两者功耗性能上的差异 | 第20-22页 |
| 2．1．2 NPT-IGBT优越性能的物理解释 | 第22-24页 |
| 2．1．3 NPT-IGBT的致命缺陷—过厚的耐压层 | 第24-25页 |
| 2．1．4 对新一代IGBT的性能要求 | 第25-26页 |
| 2．2 综合NPT-IGBT和PT-IGBT优点的尝试—FSIGBT | 第26-28页 |
| 2．3 一种具有新型的耐压层结构的IGBT—LPL-IGBT | 第28-31页 |
| 2．4 在LPL-IGBT研究中拟解决的关键问题 | 第31-32页 |
| 第三章 LPL-IGBT的仿真及结果分析 | 第32-50页 |
| 3．1 仿真中模型、参数的设置 | 第32-34页 |
| 3．2 对仿真选取的模型、参数的验证 | 第34-38页 |
| 3．3 耐压2000V各类IGBT的仿真结果及分析 | 第38-45页 |
| 3．3．1 仿真中器件结构参数的选取 | 第38页 |
| 3．3．2 耐压2000V的各类IGBT仿真结果及分析 | 第38-45页 |
| 3．4 耐压1200V各类IGBT的仿真结果及分析 | 第45-46页 |
| 3．5 对LPL-IGBT仿真所得出的结论 | 第46-47页 |
| 3．6 对背扩散残留层的仿真优化 | 第47-50页 |
| 第四章 LPL-IGBT的制作及测试结果 | 第50-57页 |
| 4．1 第一轮实验情况简介 | 第50-54页 |
| 4．2 第一轮实验的测试结果 | 第54-55页 |
| 4．3 第二轮实验情况简介 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
