| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| ·课题背景 | 第11-13页 |
| ·与课题相关的技术及其发展现状 | 第13-20页 |
| ·静电放电的模式、测试及故障判断 | 第13-17页 |
| ·静电放电防护设计的基本概念 | 第17-19页 |
| ·ESD防护器件建模 | 第19-20页 |
| ·本课题的意义 | 第20-21页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第21-22页 |
| 第2章 采用传统模型进行的ESD仿真及分析 | 第22-42页 |
| ·TPZ973GV TSMC 0.18μm Standard I/O Library | 第23-28页 |
| ·PDB02SDGZ的逻辑结构 | 第23页 |
| ·PDB02SDGZ的版图结构 | 第23-26页 |
| ·PDB02SDGZ的网表结构 | 第26-27页 |
| ·电路的提取 | 第27-28页 |
| ·正常信号输入时的仿真结果 | 第28-32页 |
| ·网表文件 | 第28-30页 |
| ·Hspice仿真结果 | 第30-32页 |
| ·高压脉冲信号输入时的仿真结果 | 第32-38页 |
| ·网表文件 | 第32-33页 |
| ·Hspice仿真结果 | 第33-36页 |
| ·单独对二极管进行仿真 | 第36-38页 |
| ·模拟HBM现象 | 第38-40页 |
| ·本章总结及拓展 | 第40-42页 |
| 第3章 运用于ESD防护的NMOS晶体管模型 | 第42-64页 |
| ·MOS器件用于ESD保护电路的机理及示例 | 第42-44页 |
| ·关于MOS器件用于ESD防护建模的国内外研究现状 | 第44-47页 |
| ·NMOS晶体管模型 | 第47-63页 |
| ·直流模型 | 第50-56页 |
| ·大信号模型 | 第56-58页 |
| ·小信号模型 | 第58-62页 |
| ·模型的尺寸变化 | 第62页 |
| ·栅氧击穿 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 NMOS晶体管直流模型的行为级实现及仿真 | 第64-89页 |
| ·Verilog-A行为级描述语言及实现 | 第64-67页 |
| ·NMOS直流模型各模块的Verilog-A源代码及仿真结果 | 第67-86页 |
| ·MOSFET电流Ids | 第69-72页 |
| ·寄生集电极电流Ic | 第72-74页 |
| ·寄生基极电流Ib | 第74-75页 |
| ·工作于snapback区域器件的开启电阻Rdrain | 第75-77页 |
| ·节点至衬底接触电阻Rsub | 第77-78页 |
| ·栅引入漏端电流Igidl | 第78-83页 |
| ·碰撞离化电流Iii | 第83-86页 |
| ·模型的整体架构及结果分析 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第5章 总结及展望 | 第89-91页 |
| ·论文总结 | 第89-90页 |
| ·未来工作展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 作者简历 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
