| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-17页 |
| 符号表 | 第17-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-31页 |
| §1-1 课题研究的背景和意义 | 第18-21页 |
| §1-2 AlGaN/GaN异质结构材料与器件的发展历史与现状 | 第21-25页 |
| §1-3 本文的研究内容与安排 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第31-46页 |
| §2-1 AlGaN/GaN异质结构材料的生长 | 第31-33页 |
| 2-1-1 衬底材料 | 第31-32页 |
| 2-1-2 外延生长技术 | 第32-33页 |
| §2-2 AlGaN/GaN异质结构材料的极化效应 | 第33-35页 |
| 2-2-1 自发极化 | 第33-34页 |
| 2-2-2 压电极化 | 第34-35页 |
| §2-3 AlGaN/GaN异质结构器件的制备工艺 | 第35-38页 |
| 2-3-1 版图结构 | 第36页 |
| 2-3-2 欧姆接触与肖特基接触的制备 | 第36-38页 |
| §2-4 AlGaN/GaN HFET的工作机理 | 第38-41页 |
| 2-4-1 AlGaN/GaN异质结构中2DEG沟道的形成 | 第38-40页 |
| 2-4-2 AlGaN/GaN HFET的基本工作机理 | 第40-41页 |
| §2.5 AlGaN/GaN异质结构材料与器件的测试 | 第41-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 肖特基接触对AlGaN/GaN势垒层应变的影响 | 第46-64页 |
| §3-1 一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解 | 第46-47页 |
| §3-2 AlGaN势垒层的相对介电常数 | 第47-54页 |
| §3-3 不同肖特基金属对AlGaN势垒层应变的影响 | 第54-57页 |
| §3-4 肖特基接触金属面积对AlGaN势垒层应变的影响 | 第57-59页 |
| §3-5 肖特基接触金属厚度对AlGaN势垒层应变的影响 | 第59-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率研究 | 第64-80页 |
| §4-1 圆形AlGaN/GaN HFET线性区的电流-电压关系 | 第64-66页 |
| §4-2 Ni肖特基接触面积对2DEG电子迁移率的影响 | 第66-75页 |
| 4-2-1 小漏源电压下的2DEG电子迁移率 | 第66-71页 |
| 4-2-2 圆形AlGaN/GaN HFET线性工作区2DEG电子迁移率 | 第71-75页 |
| §4-3 欧姆接触金属退火对2DEG电子迁移率的影响 | 第75-79页 |
| 参考文献 | 第79-80页 |
| 第五章 AlGaN/GaN异质结构肖特基接触热稳定性研究 | 第80-92页 |
| §5-1 Ni肖特基接触的退火温度对AlGaN/GaN异质结构特性的影响 | 第80-87页 |
| §5-2 Ni肖特基接触的退火时间对AlGaN/GaN异质结构特性的影响 | 第87-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第六章 结论 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第97-99页 |
| Paper 1 | 第99-109页 |
| Paper 2 | 第109-120页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第120页 |
