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金刚石半导体电子性质研究

摘要第1-12页
ABSTRACT第12-15页
符号说明第15-16页
第一章 绪论第16-31页
   ·金刚石的研究背景和研究意义第16-17页
   ·金刚石基本性质概述第17-21页
     ·金刚石的结构性质第17-18页
     ·金刚石的分类第18-19页
     ·金刚石薄膜的制备第19-21页
   ·金刚石的物理化学性质第21-22页
   ·金刚石材料性质的研究进展第22-26页
     ·金刚石材料的p-型掺杂第23页
     ·金刚石材料的n-型掺杂第23-26页
   ·本论文的研究内容第26-28页
 参考文献第28-31页
第二章 密度泛函理论基础第31-44页
   ·第一性原理计算和密度泛函理论的基本概念第31-35页
     ·Hartree-Fock近似第31-33页
     ·Hohenberg-Kohn(HK)定理第33-34页
     ·Kohn-Sham方程第34-35页
   ·交换相关能量泛函第35-38页
     ·局域密度近似(Local density approximation,LDA)第35-36页
     ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)第36-37页
     ·杂化密度泛函(Hybrid Density Functional)第37页
     ·交换相关泛函存在的不足第37-38页
   ·平面波和赝势方法第38-40页
     ·平面波方法第38-39页
     ·赝势方法第39-40页
   ·密度泛函理论的修改与扩展第40-42页
 参考文献第42-44页
第三章 磷掺杂金刚石中载流子补偿的理论研究第44-60页
   ·研究背景第44-45页
   ·计算与方法第45-46页
     ·结果与讨论第46-55页
     ·P相关复合物的中性态第47-52页
     ·P相关复合物的负电荷态第52-55页
     ·本章小结第55-57页
 参考文献第57-60页
第四章 铍、镁及卤素杂质对金刚石电子性质的影响第60-77页
   ·研究背景第60-61页
   ·计算方法与模型第61页
   ·Be、Mg及其H化物对金刚石电子性质的影响第61-67页
     ·间隙缺陷原子X_i第61-63页
     ·Be_i-H和Mg_i-H复合物第63-65页
     ·替位式缺陷原子X_s第65-67页
     ·卤素X(=F,Cl,Br,I)对金刚石电子性质的影响第67-72页
     ·缺陷原子形成能和穆里肯布居分析第67-69页
     ·替位式杂质第69-70页
     ·间隙式杂质第70-71页
     ·H对施主杂质的影响第71-72页
   ·本章小结第72-74页
 参考文献第74-77页
第五章 氢对硼掺杂金刚石材料电子性质的影响第77-87页
   ·研究背景第77页
   ·计算方法与模型第77-78页
     ·结果与讨论第78-83页
     ·(B-H)复合物的结构性质第78-80页
     ·(B-H)复合物的电子结构第80-82页
     ·(B-H)复合物的稳定性第82-83页
   ·氢对硼掺杂金刚石导电性影响的实验检测第83-84页
   ·本章小结第84-85页
 参考文献第85-87页
第六章 总结与展望第87-89页
   ·总结第87-88页
   ·展望第88-89页
攻读博士学位发表论文目录和获奖情况第89-91页
 发表论文第89-90页
 获奖情况第90页
 参加的研究项目第90-91页
致谢第91-93页
英文论文一第93-112页
英文论文二第112-125页
学位论文评阅及答辩情况表第125页

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