| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第1章 ZnO 材料与脉冲激光沉积（PLD）技术简介 | 第10-27页 |
| ·ZnO 材料简介 | 第10-16页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第10-12页 |
| ·ZnO 薄膜研究现状 | 第12-16页 |
| ·PLD 简介 | 第16-20页 |
| ·PLD 技术的原理与机制 | 第17-18页 |
| ·PLD 技术的特点 | 第18页 |
| ·PLD 系统结构 | 第18-19页 |
| ·PLD 技术在制备ZnO 中的应用 | 第19-20页 |
| ·本论文研究内容和意义 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第2章 ZnO 薄膜的PLD 制备及物性研究 | 第27-47页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第27-28页 |
| ·ZnO 靶材的制备 | 第27页 |
| ·衬底的选择及清洗 | 第27-28页 |
| ·ZnO 薄膜的生长 | 第28页 |
| ·生长条件对ZnO 薄膜结构及发光性质的影响 | 第28-39页 |
| ·衬底温度的影响 | 第28-33页 |
| ·氧气压强的影响 | 第33-35页 |
| ·激光功率密度的影响 | 第35-39页 |
| ·本节小结 | 第39页 |
| ·Si 表面氮化提高ZnO 薄膜质量 | 第39-44页 |
| ·实验方法 | 第40页 |
| ·ZnO/Si(111)界面成键构型 | 第40-42页 |
| ·ZnO 薄膜的结构和发光性质表征 | 第42-44页 |
| ·本节小结 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第3章 Mgx_Zn_(1-x)O 薄膜的PLD 制备及物性研究 | 第47-57页 |
| ·Mgx_Zn_(1-x)O 靶材的制备 | 第47页 |
| ·Mgx_Zn_(1-x)O 薄膜的制备与表征 | 第47-51页 |
| ·Mgx_Zn_(1-x)O 薄膜的制备 | 第47-48页 |
| ·Mgx_Zn_(1-x)O 薄膜的结构与光学性质 | 第48-51页 |
| ·本节小结 | 第51页 |
| ·Mg_(0.21)Zn_(0.79)O 基紫外光探测器研究 | 第51-54页 |
| ·Mg_(0.21)Zn_(0.79)O 基紫外光探测器的制备 | 第51页 |
| ·Mg_(0.21)Zn_(0.79)O 基紫外光探测器的光电响应 | 第51-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第4章 MgZnO/MgO 多量子阱（MQW）的PLD 制备及物性研究 | 第57-79页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/c-Al_20_3 的制备及物性研究 | 第57-64页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/c-Al_20_3 的制备 | 第57-59页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/c-Al_20_3 的物性研究 | 第59-64页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/m-Al_20_3 的制备及物性研究 | 第64-71页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/m-Al_20_3 的制备 | 第64-66页 |
| ·MgZnO/MgO MQW/m-Al_20_3 的物性研究 | 第66-71页 |
| ·MgZnO/MgO MQW 的电子态分析 | 第71-74页 |
| ·MQW 阱层能带分析 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第5章 ZnO/MgO MQW 的PLD 制备及物性研究 | 第79-89页 |
| ·ZnO/MgO MQW 的制备 | 第79页 |
| ·ZnO/MgO MQW 的物性研究 | 第79-86页 |
| ·ZnO/MgO MQW 的结构性质 | 第79-84页 |
| ·ZnO/MgO MQW 的光学性质 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第6章 结论 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第91页 |
