| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-40页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 ZnO材料的基本性质及在紫外发光方面的优势 | 第10-13页 |
| 1.2.1 氧化锌材料的基本性质 | 第10-12页 |
| 1.2.2 ZnO材料的优势 | 第12-13页 |
| 1.3 ZnO材料在紫外光电子器件的研究进展 | 第13-38页 |
| 1.3.1 氧化锌基紫外光泵浦发光器件研究进展 | 第14-25页 |
| 1.3.2 氧化锌基紫外电泵浦发光器件研究进展 | 第25-30页 |
| 1.3.3 氧化锌基电泵浦紫外激光器件研究进展 | 第30-38页 |
| 1.4 本论文选题依据和研究内容 | 第38-40页 |
| 第2章 ZnO材料的制备方法以及表征手段 | 第40-56页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 ZnO材料制备方法 | 第40-48页 |
| 2.2.1 分子束外延(MBE)技术 | 第40-42页 |
| 2.2.2 磁控溅射技术 | 第42-43页 |
| 2.2.3 化学气相沉积(CVD)技术 | 第43-44页 |
| 2.2.4 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第44-45页 |
| 2.2.5 溶胶-凝胶化学合成法 | 第45-46页 |
| 2.2.6 电化学沉积法 | 第46-47页 |
| 2.2.7 水热合成法 | 第47-48页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第48-55页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第48-52页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第52-53页 |
| 2.3.3 光谱的测量 | 第53-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第3章 单根ZnO微米线基异质结发光二极管 | 第56-76页 |
| 3.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.2 实验部分 | 第57-59页 |
| 3.2.1 单根Ga掺杂ZnO微米线的可控性生长 | 第57页 |
| 3.2.2 ZnO:Ga微米线基发光二极管的制备 | 第57-58页 |
| 3.2.3 分析仪器 | 第58-59页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第59-75页 |
| 3.3.1 单根ZnO:Ga微米线光学性质 | 第59-64页 |
| 3.3.2 单个未掺杂的ZnO微米线基紫外发光二极管的电致发光特性 | 第64-67页 |
| 3.3.3 单根ZnO:Ga微米线基紫外发光二极管的电致发光特性 | 第67-74页 |
| 3.3.4 波长可调谐的单根ZnO:Ga微米线基异质结发光二极管 | 第74-75页 |
| 3.4 小结 | 第75-76页 |
| 第4章 波长可调谐ZnO微米线发光器件 | 第76-104页 |
| 4.1 引言 | 第76-77页 |
| 4.2 金属纳米等离基元简介 | 第77-78页 |
| 4.3 实验部分 | 第78-81页 |
| 4.3.1 ZnO:Ga微米线的合成 | 第78-79页 |
| 4.3.2 金属-ZnO:Ga微米线发光器件的制备 | 第79-80页 |
| 4.3.3 分析仪器 | 第80-81页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第81-101页 |
| 4.4.1 单根ZnO:Ga微米线的光学特性 | 第81-83页 |
| 4.4.2 金属纳米颗粒修饰单根ZnO:Ga微米线电学特性 | 第83-88页 |
| 4.4.3 金属纳米颗粒表面等离子体的研究 | 第88-98页 |
| 4.4.4 波长可调谐的金属-单根ZnO:Ga微米线 | 第98-101页 |
| 4.5 小结 | 第101-104页 |
| 第5章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 5.1 总结 | 第104页 |
| 5.2 展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简历及及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第118页 |
