| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.1.1 二维材料的兴起 | 第11-12页 |
| 1.1.2 电极制备方式的发展 | 第12-13页 |
| 1.2 二维InSe和In_2Se_3的结构和性质 | 第13-17页 |
| 1.2.1 二维InSe的结构和性质 | 第13-16页 |
| 1.2.2 二维In_2Se_3的结构和性质 | 第16-17页 |
| 1.3 二维InSe和In_2Se_3的应用 | 第17-24页 |
| 1.3.1 二维InSe的应用 | 第17-21页 |
| 1.3.2 二维In_2Se_3的应用 | 第21-24页 |
| 1.4 二维InSe和In_2Se_3的制备方式 | 第24-28页 |
| 1.4.1 二维InSe的制备方式 | 第24-25页 |
| 1.4.2 二维In_2Se_3的制备方式 | 第25-28页 |
| 1.5 转移印刷法制备电极的发展 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第29-31页 |
| 第二章 少层InSe和In_2Se_3的制备与表征 | 第31-51页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 生长源的制备与表征 | 第31-33页 |
| 2.2.1 生长源的制备 | 第32页 |
| 2.2.2 生长源的表征 | 第32-33页 |
| 2.3 生长构架和实验过程 | 第33-35页 |
| 2.3.1 生长构架图 | 第33-34页 |
| 2.3.2 实验过程 | 第34-35页 |
| 2.4 生长条件对生长结果的影响 | 第35-41页 |
| 2.4.1 一般生长条件下不同衬底上的产物形貌 | 第36-37页 |
| 2.4.2 温度与流量对生长结果的影响 | 第37-39页 |
| 2.4.3 温度和压强对生长结果的影响 | 第39-40页 |
| 2.4.4 小石英管直径对生长结果的影响 | 第40-41页 |
| 2.5 样品的表征 | 第41-46页 |
| 2.5.1 样品的AFM表征 | 第41页 |
| 2.5.2 样品的拉曼光谱表征 | 第41-43页 |
| 2.5.3 样品的EDS表征 | 第43-44页 |
| 2.5.4 样品的TEM表征 | 第44-46页 |
| 2.6 源处理前后的变化研究 | 第46-48页 |
| 2.6.1 源的处理 | 第46-47页 |
| 2.6.2 源处理前后的变化 | 第47-48页 |
| 2.7 改进生长条件后的结果 | 第48-49页 |
| 2.8 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 转移印刷法制备器件电极 | 第51-65页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 转移印刷法制备电极的原理 | 第51-52页 |
| 3.3 转移印刷法制备电极的步骤与装置 | 第52-56页 |
| 3.3.1 转移印刷法制备电极的步骤 | 第52-54页 |
| 3.3.2 转移印刷法制备电极的装置 | 第54-56页 |
| 3.4 转移印刷法制备电极的展示 | 第56-57页 |
| 3.4.1 用转移印刷法制备常规电极展示 | 第56-57页 |
| 3.4.2 用转移印刷法制备极窄间距电极展示 | 第57页 |
| 3.5 用转移印刷法制备电极的优缺点 | 第57-59页 |
| 3.5.1 用转移印刷法制备电极的优点 | 第58页 |
| 3.5.2 用转移印刷法制备电极的缺点 | 第58-59页 |
| 3.6 转移印刷法制备电极的电极间距变化和重复性研究 | 第59-61页 |
| 3.6.1 转移印刷法制备电极的电极间距变化研究 | 第59-60页 |
| 3.6.2 转移印刷法制备电极的重复性研究 | 第60-61页 |
| 3.7 转移印刷法制备器件电极及器件的电学和光探测性能 | 第61-64页 |
| 3.7.1 用转移印刷法制备电极后的器件的电学性能测试 | 第61-62页 |
| 3.7.2 用转移印刷法制备电极后的器件的光探测性能测试 | 第62-64页 |
| 3.8 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第79页 |
