| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第15-33页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 光子自旋霍尔效应及其研究进展 | 第17-26页 |
| 1.2.1 光子自旋霍尔效应简介 | 第17-19页 |
| 1.2.2 理论研究进展 | 第19-22页 |
| 1.2.3 实验研究进展 | 第22-26页 |
| 1.3 弱测量技术简介 | 第26-31页 |
| 1.3.1 弱测量的概念及其发展历史 | 第26-29页 |
| 1.3.2 弱测量技术相关应用 | 第29-31页 |
| 1.4 本文主要研究内容与基本框架 | 第31-33页 |
| 第2章 基本理论和研究方法 | 第33-47页 |
| 2.1 三维光束传输模型 | 第33-37页 |
| 2.1.1 光在单层介质中的传输 | 第34-37页 |
| 2.1.2 光在多层介质中的传输 | 第37页 |
| 2.2 光子自旋霍尔效应的理论计算 | 第37-41页 |
| 2.2.1 反射光中的自旋霍尔效应 | 第38-39页 |
| 2.2.2 折射光中的自旋霍尔效应 | 第39-41页 |
| 2.3 基于光子自旋霍尔效应的弱测量 | 第41-46页 |
| 2.3.1 实验装置 | 第41-42页 |
| 2.3.2 原理分析 | 第42-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第3章 光隧穿中的自旋霍尔效应研究 | 第47-57页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 隧穿模型分析 | 第48-50页 |
| 3.3 光束在势垒中透射时的自旋霍尔效应 | 第50-52页 |
| 3.4 弱测量探测光隧穿中的自旋分裂 | 第52-56页 |
| 3.4.1 实验装置及原理分析 | 第52-54页 |
| 3.4.2 实验结果 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 拓扑绝缘体中的光子自旋霍尔效应研究 | 第57-68页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 光束在拓扑绝缘体中的反射模型 | 第58-61页 |
| 4.3 光束在拓扑绝缘体中的自旋霍尔效应及克尔旋转 | 第61-65页 |
| 4.3.1 理论计算 | 第61-62页 |
| 4.3.2 结果分析 | 第62-65页 |
| 4.4 拓扑绝缘体中轴耦合效应的潜在测量方法 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第5章 基于光子自旋霍尔效应的弱测量用于金属薄膜的厚度测量 | 第68-76页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 理论分析 | 第69-72页 |
| 5.2.1 光束在金属薄膜中的理论传输模型 | 第69-70页 |
| 5.2.2 金属薄膜中的光子自旋霍尔效应 | 第70-72页 |
| 5.3 实验观测 | 第72-74页 |
| 5.4 实验结果分析 | 第74-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第6章 基于光子自旋霍尔效应的弱测量判断石墨烯的层数 | 第76-83页 |
| 6.1 引言 | 第76-77页 |
| 6.2 理论分析 | 第77-79页 |
| 6.2.1 光束在石墨烯中的理论传输模型 | 第77-78页 |
| 6.2.2 石墨烯中的光子自旋霍尔效应 | 第78-79页 |
| 6.3 实验测量 | 第79-80页 |
| 6.4 实验结果讨论 | 第80-82页 |
| 6.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第7章 光子自旋霍尔效应的最佳弱测量研究 | 第83-90页 |
| 7.1 引言 | 第83-84页 |
| 7.2 光子自旋霍尔效应最佳弱测量理论 | 第84-86页 |
| 7.3 实验思路及结果分析 | 第86-89页 |
| 7.4 本章小节 | 第89-90页 |
| 结论 | 第90-93页 |
| 参考文献 | 第93-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 附录A 攻读博士学位期间已发表的论文 | 第106-109页 |
| 附录B 攻读博士学位期间所获奖励 | 第109-110页 |
| 附录C 攻读博士学位期间参与的相关课题 | 第110页 |
