| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-49页 |
| 1.1 超导电性的发现及简介 | 第12-14页 |
| 1.2 常规超导体与高温超导体 | 第14-17页 |
| 1.3 超导体的磁通动力学理论 | 第17-32页 |
| 1.3.1 上临界场、不可逆场和相图 | 第17-23页 |
| 1.3.2 磁通涡旋线与临界态模型 | 第23-26页 |
| 1.3.3 磁通钉扎机制及分类 | 第26-28页 |
| 1.3.4 磁通线的热激活理论 | 第28-31页 |
| 1.3.5 磁弛豫和第二峰效应 | 第31-32页 |
| 1.4 FeSe_xTe_(1-x)、Ba_(1-x)K_xBiO_(3-δ)、BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)超导体的研究现状 | 第32-43页 |
| 1.4.1 FeSe_xTe_(1-x)超导体研究现状 | 第32-36页 |
| 1.4.2 钡钾铋氧(BKBO)超导体的研究现状 | 第36-39页 |
| 1.4.3 钡铅铋氧(BPBO)超导体的研究现状 | 第39-43页 |
| 1.5 小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 第二章 样品制备方法与物性测试 | 第49-58页 |
| 2.1 FeSe_xTe_(1-x)样品制备方法 | 第49-50页 |
| 2.1.1 FeSe_xTe_(1-x)多晶和薄膜的制备方法 | 第49页 |
| 2.1.2 FeSe_xTe_(1-x)单晶的制备 | 第49-50页 |
| 2.2 Ba_(1-x)K_xBiO_(3-δ)样品制备方法 | 第50-54页 |
| 2.2.1 Ba_(1-x)K_xBiO_(3-δ)多晶和薄膜的制备方法 | 第50-51页 |
| 2.2.2 Ba_(1-x)K_xBiO_(3-δ)单晶的制备 | 第51-54页 |
| 2.3 BaPb_(1-x)B_xO_(3-δ)多晶样品的制备 | 第54页 |
| 2.4 实验方法 | 第54-56页 |
| 2.5 小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第三章 FeSe_xTe_(1-x)单晶磁通动力学 | 第58-82页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验样品的准备 | 第59页 |
| 3.3 实验结果及讨论 | 第59-78页 |
| 3.3.1 FeSe_xTe_(1-x)的结构与成分分析 | 第59-60页 |
| 3.3.2 FeSe_xTe_(1-x)的电阻率展宽曲线 | 第60-62页 |
| 3.3.3 FeSe_xTe_(1-x)的各向异性与上临界场 | 第62-67页 |
| 3.3.4 FeSe_xTe_(1-x)的磁通钉扎特性 | 第67-70页 |
| 3.3.5 FeSe_xTe_(1-x)的临界电流密度及磁弛豫 | 第70-78页 |
| 3.4 小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 第四章 Ba_(0.67)K_(0.33)BiO_(3-δ)单晶钉扎势 | 第82-92页 |
| 4.1 引言 | 第82页 |
| 4.2 实验样品的准备 | 第82页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第82-90页 |
| 4.3.1 Ba_(0.67)K_(0.33)BiO_(3-δ)的结构与成分分析 | 第83-85页 |
| 4.3.2 超导T_c附近的电阻随磁场与c轴间夹角θ的变化关系 | 第85-87页 |
| 4.3.3 Ba_(0.67)K_(0.33)BiO_(3-δ)的磁通钉扎势、上临界场和各向异性 | 第87-90页 |
| 4.4 小结 | 第90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)超导体相图及钉扎势 | 第92-107页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 实验样品的准备 | 第92页 |
| 5.3 实验结果及讨论 | 第92-104页 |
| 5.3.1 BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)的结构分析 | 第93-94页 |
| 5.3.2 BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)的超导电性及相图 | 第94-98页 |
| 5.3.3 BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)的上临界场及钉扎势 | 第98-102页 |
| 5.3.4 BaPb_(1-x)Bi_xO_(3-δ)的临界电流密度及磁通钉扎特性 | 第102-104页 |
| 5.4 小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第六章 论文总结 | 第107-109页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
