摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-40页 |
1.1 介观输运概述 | 第11-23页 |
1.1.1 介观输运体系 | 第11-15页 |
1.1.2 介观输运现象 | 第15-23页 |
1.2 量子霍尔效应的发展 | 第23-31页 |
1.2.1 正常与反常量子霍尔效应 | 第23-26页 |
1.2.2 量子霍尔效应 | 第26-31页 |
1.3 拓扑绝缘体的输运特性 | 第31-40页 |
1.3.1 拓扑绝缘体简介 | 第32-34页 |
1.3.2 拓扑绝缘体的输运 | 第34-40页 |
第二章 实验方法 | 第40-56页 |
2.1 材料选择与优化 | 第40-46页 |
2.2 样品制备方法 | 第46-52页 |
2.3 实验测量方法 | 第52-56页 |
第三章 拓扑绝缘体的量子霍尔效应的研究 | 第56-75页 |
3.1 狄拉克电子的量子霍尔效应概述 | 第56-60页 |
3.2 拓扑绝缘体器件的基本特性 | 第60-62页 |
3.3 拓扑绝缘体量子霍尔效应的测量 | 第62-70页 |
3.4 拓扑绝缘体量子霍尔效应的全图 | 第70-74页 |
3.5 本章小结 | 第74-75页 |
第四章 团簇调控的拓扑绝缘体量子霍尔态 | 第75-98页 |
4.1 Co团簇修饰的表征与特性 | 第75-78页 |
4.2 Co团簇修饰的高场量子霍尔态与重整化群流方法 | 第78-83页 |
4.3 Co团簇修饰前后的量子化轨迹比较 | 第83-94页 |
4.4 塞曼能隙计算与重复性验证 | 第94-97页 |
4.5 本章小结 | 第97-98页 |
第五章 拓扑绝缘体普适电导涨落的对称性研究 | 第98-108页 |
5.1 普适电导涨落特征 | 第98-101页 |
5.2 电导涨落的对称性研究 | 第101-106页 |
5.3 本章小结 | 第106-108页 |
第六章 总结与展望 | 第108-113页 |
6.1 小结 | 第108-109页 |
6.2 展望 | 第109-113页 |
附录 | 第113-118页 |
拓扑表面态的理论模型 | 第113-117页 |
磁性修饰下拓扑表面态的理论模型 | 第117-118页 |
参考文献 | 第118-148页 |
科研成果 | 第148-150页 |
致谢 | 第150-151页 |