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拓扑绝缘体BiSbTeSe2的量子霍尔态与电导涨落的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-40页
    1.1 介观输运概述第11-23页
        1.1.1 介观输运体系第11-15页
        1.1.2 介观输运现象第15-23页
    1.2 量子霍尔效应的发展第23-31页
        1.2.1 正常与反常量子霍尔效应第23-26页
        1.2.2 量子霍尔效应第26-31页
    1.3 拓扑绝缘体的输运特性第31-40页
        1.3.1 拓扑绝缘体简介第32-34页
        1.3.2 拓扑绝缘体的输运第34-40页
第二章 实验方法第40-56页
    2.1 材料选择与优化第40-46页
    2.2 样品制备方法第46-52页
    2.3 实验测量方法第52-56页
第三章 拓扑绝缘体的量子霍尔效应的研究第56-75页
    3.1 狄拉克电子的量子霍尔效应概述第56-60页
    3.2 拓扑绝缘体器件的基本特性第60-62页
    3.3 拓扑绝缘体量子霍尔效应的测量第62-70页
    3.4 拓扑绝缘体量子霍尔效应的全图第70-74页
    3.5 本章小结第74-75页
第四章 团簇调控的拓扑绝缘体量子霍尔态第75-98页
    4.1 Co团簇修饰的表征与特性第75-78页
    4.2 Co团簇修饰的高场量子霍尔态与重整化群流方法第78-83页
    4.3 Co团簇修饰前后的量子化轨迹比较第83-94页
    4.4 塞曼能隙计算与重复性验证第94-97页
    4.5 本章小结第97-98页
第五章 拓扑绝缘体普适电导涨落的对称性研究第98-108页
    5.1 普适电导涨落特征第98-101页
    5.2 电导涨落的对称性研究第101-106页
    5.3 本章小结第106-108页
第六章 总结与展望第108-113页
    6.1 小结第108-109页
    6.2 展望第109-113页
附录第113-118页
    拓扑表面态的理论模型第113-117页
    磁性修饰下拓扑表面态的理论模型第117-118页
参考文献第118-148页
科研成果第148-150页
致谢第150-151页

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