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二氧化钒作为有机半导体的高功函空穴注入电极的研究

中文摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-25页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 二氧化钒的结构及性质第11-18页
    1.3 二氧化钒的应用第18页
    1.4 Conjugated Organic Materials分子与基底的作用第18-23页
    1.5 本课题的研究背景及意义第23-25页
第二章 V_(1-X)W_XO_2的制备方法和表征手段第25-34页
    2.1 制备方法第25-26页
    2.2 表征手段第26-34页
        2.2.1 角分辨光电子能谱仪第26-30页
        2.2.2 X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)第30-31页
        2.2.3 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy,AFM)第31-32页
        2.2.4 四探针法第32-34页
第三章 化学计量和氧缺陷VO_2作为有机半导体的多功能空穴注入电极第34-55页
    3.1 引言第34-35页
    3.2 实验方法第35-36页
    3.3 结果和讨论第36-54页
    3.4 本章小结第54-55页
第四章 不同溅射和退火条件对VO_2表面性能的影响第55-75页
    4.1 引言第55-56页
    4.2 循环处理对VO_2表面的影响—处理流程Ⅰ第56-62页
        4.2.1 处理步骤第56-57页
        4.2.2 结果与讨论第57-62页
        4.2.3 小结第62页
    4.3 循环处理对VO_2表面的影响—处理流程Ⅱ第62-69页
        4.3.1 处理步骤第62-64页
        4.3.2 结果与讨论第64-69页
        4.3.3 小结第69页
    4.4 综合分析所有处理方法对VO_2表面的影响第69-73页
    4.5 本章小结第73-75页
第五章 本文总结与展望第75-78页
    5.1 本文总结第75-76页
    5.2 未来工作展望第76-78页
参考文献第78-95页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第95-96页
致谢第96-97页

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