| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.3 论文的研究内容及框架结构 | 第14-16页 |
| 第二章 AMR效应理论和传感器制备分析方法 | 第16-34页 |
| 2.1 AMR效应原理 | 第16-18页 |
| 2.2 AMR线性磁场传感器原理 | 第18-24页 |
| 2.2.1 Barber电极电流偏置原理 | 第20-22页 |
| 2.2.2 惠斯通电桥结构原理 | 第22-24页 |
| 2.3 薄膜制备方法 | 第24-31页 |
| 2.3.1 磁控溅射镀膜 | 第25-27页 |
| 2.3.2 电子束蒸发镀膜 | 第27-29页 |
| 2.3.3 真空磁场退火 | 第29-31页 |
| 2.4 薄膜和传感器测试分析方法 | 第31-34页 |
| 2.4.1 台阶仪 | 第31-32页 |
| 2.4.2 探针台 | 第32-34页 |
| 第三章 AMR磁阻薄膜的制备和性能分析 | 第34-44页 |
| 3.1 磁阻薄膜的制备流程 | 第34-36页 |
| 3.1.1 基片处理 | 第34-35页 |
| 3.1.2 磁阻薄膜的制备 | 第35页 |
| 3.1.3 真空磁场退火处理 | 第35-36页 |
| 3.2 NiFe磁阻薄膜层厚度对磁阻薄膜AMR性能的影响 | 第36-39页 |
| 3.3 Ta缓冲层厚度对磁阻薄膜AMR性能的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 退火温度对磁阻薄膜AMR性能的影响 | 第40-42页 |
| 3.5 退火时间对磁阻薄膜AMR性能的影响 | 第42-44页 |
| 第四章 AMR线性磁场传感器的制备和性能分析 | 第44-65页 |
| 4.1 有限元法及仿真分析软件 | 第44-45页 |
| 4.1.1 有限元法简介 | 第44页 |
| 4.1.2 仿真软件COMSOLMultiphasic简介 | 第44-45页 |
| 4.2 基于COMSOL软件对Barber电极电流偏置仿真分析 | 第45-54页 |
| 4.2.1 仿真结果分析 | 第48-52页 |
| 4.2.2 AMR磁阻薄膜图形设计 | 第52-54页 |
| 4.3 图形化单元的制备 | 第54-57页 |
| 4.4 AMR线性磁场传感器性能研究 | 第57-65页 |
| 4.4.1 AMR线性磁场传感器的测试方法 | 第57-58页 |
| 4.4.2 AMR线性磁场传感器的测试结果 | 第58-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位取得的研究成果 | 第70页 |
