| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 SiGeHBT高频等效噪声建模的研究现状 | 第9-17页 |
| 1.2.1 常见的SiGeHBT的高频等效噪声电路结构 | 第12-14页 |
| 1.2.2 SPICE模型 | 第14-15页 |
| 1.2.3 Transport模型 | 第15-16页 |
| 1.2.4 Vanvliet模型 | 第16-17页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 2 射频SiGeHBT等效噪声源的精确物理模型 | 第18-36页 |
| 2.1 SiGeHBT小信号等效电路拓扑的确定 | 第20-21页 |
| 2.2 基于修正的Vanvliet模型的高频等效噪声建模 | 第21-26页 |
| 2.3 高频等效噪声模型的验证 | 第26-35页 |
| 2.3.1 基于S参数的小信号等效元件参数值的提取 | 第26-30页 |
| 2.3.2 高频等效噪声模型仿真结果的对比与分析 | 第30-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 3 实用的射频SiGeHBT等效噪声源的简洁模型 | 第36-48页 |
| 3.1 高频等效噪声简洁模型的确定 | 第36-39页 |
| 3.2 噪声功率谱密度转换矩阵的提出 | 第39-43页 |
| 3.3 简洁模型的Verilog-A语言的实现 | 第43-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 射频SiGeHBT等效噪声源的简洁模型的嵌入与验证 | 第48-55页 |
| 4.1 高频等效噪声源的简洁模型的ADS2014嵌入 | 第48-50页 |
| 4.2 基于ADS的简洁模型的四噪声参数的仿真与验证 | 第50-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 | 第63-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第65页 |
