| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 射频晶体管在低温低压条件下的等效噪声模型研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要内容及工作安排 | 第12-14页 |
| 2 低温低压条件下SiGeHBT的特性分析 | 第14-22页 |
| 2.1 SiGeHBT的理论噪声性能 | 第14-17页 |
| 2.1.1 SiGeHBT的工作原理 | 第14页 |
| 2.1.2 理论的噪声性能与经典的噪声模型 | 第14-17页 |
| 2.2 SiGeHBT的终端特性分析 | 第17-21页 |
| 2.2.1 直流特性分析 | 第17-19页 |
| 2.2.2 交流特性分析 | 第19-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 低温低压条件下SiGeHBT小信号等效电路建模及其参数提取 | 第22-42页 |
| 3.1 SiGeHBT的小信号等效电路建模 | 第22-23页 |
| 3.2 等效电路模型参数提取方法与提取过程 | 第23-36页 |
| 3.2.1 参数提取方法的确定 | 第23-26页 |
| 3.2.2 参数提取过程 | 第26-35页 |
| 3.2.3 参数提取结果与验证 | 第35-36页 |
| 3.3 等效电路模型的简化与验证 | 第36-41页 |
| 3.3.1 电流拥挤效应Srbi的分析 | 第36-39页 |
| 3.3.2 低压条件下简化的SiGeHBT等效电路模型的验证 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 低温低压条件下的等效噪声模型研究 | 第42-59页 |
| 4.1 基于四噪声参数的散粒噪声提取 | 第42-49页 |
| 4.1.1 散粒噪声提取方法的确定 | 第43-45页 |
| 4.1.2 散粒噪声提取的过程 | 第45-48页 |
| 4.1.3 散粒噪声提取结果 | 第48-49页 |
| 4.2 散粒噪声半经验模型的建模与验证 | 第49-53页 |
| 4.2.1 散粒噪声半经验模型的建模 | 第50-52页 |
| 4.2.2 散粒噪声半经验模型的验证 | 第52-53页 |
| 4.3 基于半经验模型的四噪声参数模型建模 | 第53-56页 |
| 4.4 低温低压条件下的四噪声参数对比 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录 | 第66-68页 |
