| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-20页 |
| 1.1 透明导电氧化物薄膜 | 第10-12页 |
| 1.1.1 TCO薄膜概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 TCO薄膜的辐射率及其影响因素 | 第11-12页 |
| 1.2 Zn-Sn-O系透明导电氧化物薄膜 | 第12-17页 |
| 1.2.1 ZTO薄膜的基本性质 | 第12-16页 |
| 1.2.2 ZTO薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.3 Zn-Sn-O系薄膜的研究现状及发展动态 | 第17-19页 |
| 1.4 课题的提出 | 第19-20页 |
| 第2章 Zn-Sn-O薄膜的制备工艺与性能表征 | 第20-31页 |
| 2.1 Zn-Sn-O薄膜的Sol-gel法制备工艺 | 第20-25页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验方案影响因素的确定 | 第20-21页 |
| 2.1.3 实验步骤 | 第21-24页 |
| 2.1.4 工艺流程图 | 第24-25页 |
| 2.2 Zn-Sn-O薄膜的CVD系统制备工艺 | 第25-27页 |
| 2.2.1 CVD法制备系统简介 | 第25页 |
| 2.2.2 实验原料 | 第25-26页 |
| 2.2.3 实验步骤 | 第26页 |
| 2.2.4 工艺流程图 | 第26-27页 |
| 2.3 实验仪器设备 | 第27-28页 |
| 2.4 Zn-Sn-O薄膜的性能表征 | 第28-31页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第28页 |
| 2.4.2 X射线衍射仪（XRD） | 第28页 |
| 2.4.3 紫外-可见分光光度计 | 第28-29页 |
| 2.4.4 四探针测试仪 | 第29-30页 |
| 2.4.5 半球辐射率 | 第30-31页 |
| 第3章 Sol-gel法制备Zn-Sn-O薄膜与性能研究 | 第31-53页 |
| 3.1 溶胶浓度对ZTO薄膜性能的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.1 溶胶浓度对薄膜结构性能的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.2 溶胶浓度对薄膜表面形貌的影响 | 第32页 |
| 3.1.3 溶胶浓度对薄膜光学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.2 Sn/Zn比对ZTO薄膜性能的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.1 Sn/Zn比对薄膜结构性能的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.2 Sn/Zn比对薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.3 Sn/Zn比对薄膜光学性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 热处理温度对普通玻璃衬底制备ZTO薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| 3.3.1 热处理温度对ZTO(1:2)薄膜性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.2 热处理温度对ZTO(1:1)薄膜性能的影响 | 第38-41页 |
| 3.4 热处理温度对石英玻璃衬底制备ZTO(1:1)薄膜性能的影响 | 第41-48页 |
| 3.4.1 热处理温度对薄膜结构性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.4.2 热处理温度对薄膜表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| 3.4.3 热处理温度对薄膜光学性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.4 热处理温度对薄膜电学性能的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 F掺杂量对ZTO(1:1)薄膜性能的影响 | 第48-52页 |
| 3.5.1 F掺杂量对薄膜结构性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.5.2 F掺杂量对薄膜表面形貌的影响 | 第50页 |
| 3.5.3 F掺杂量对薄膜光学性能的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.4 F掺杂量对薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 CVD法制备Zn-Sn-O薄膜与性能研究 | 第53-62页 |
| 4.1 工艺参数的确定 | 第53页 |
| 4.2 Sn/Zn比对薄膜性能的影响 | 第53-61页 |
| 4.2.1 对结构性能的分析 | 第53-55页 |
| 4.2.2 对表面形貌的分析 | 第55-57页 |
| 4.2.3 对光学性能的分析 | 第57-60页 |
| 4.2.4 对电学性能与半球辐射率分析 | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 导师简介 | 第69-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
| 学位论文数据集 | 第71页 |
